[发明专利]被处理体的处理方法

摘要

本发明在提供抑制工艺的复杂化且可进行选择性的图案成膜的技术的一实施方式中，提供处理晶片(W)的方法(MT)，晶片(W)包含金属部(61)、绝缘部(62)及主表面(6)，在主表面(6)侧露出有金属部(61)的表面(61a)及绝缘部(62)的表面(62a)，方法(MT)具备：工序(S1)，将晶片(W)收容于等离子体处理装置(10)的处理室(4)内；工序(S2)，开始向处理室(4)内供给O2气体；及工序(S3)，向处理室(4)内供给SiF4气体及等离子体生成用高频电力，以在处理室(4)内生成基于包含SiF4气体的处理室(4)内的气体的等离子体，工序(S3)中所生成的等离子体含有沉积物种及蚀刻物种，在工序(S3)中所生成的等离子体中，蚀刻物种所占的比例比沉积物种所占的比例多。

主权项

1.一种处理被处理体的方法，其中，该被处理体包含金属部、绝缘部及主表面，在该主表面侧露出有该金属部的第1表面及该绝缘部的第2表面，该方法具备：第1工序，将所述被处理体收容于等离子体处理装置的处理室内；第2工序，在所述第1工序之后，开始向所述处理室内供给第1气体；及第3工序，在所述第2工序之后，向所述处理室内供给第2气体及等离子体生成用高频电力，以开始在该处理室内生成基于包含该第2气体的该处理室内的气体的等离子体的处理，所述第1气体含有氧，所述第3工序中所生成的等离子体含有沉积物种及蚀刻物种，在所述第3工序中所生成的等离子体中，所述蚀刻物种所占的比例比所述沉积物种所占的比例多。