[发明专利]被处理体的处理方法

权利要求书

1.一种处理被处理体的方法，其中，

该被处理体包含金属部、绝缘部及主表面，在该主表面侧露出有该金属部的第1表面及该绝缘部的第2表面，

该方法具备：

第1工序，将所述被处理体收容于等离子体处理装置的处理室内；

第2工序，在所述第1工序之后，开始向所述处理室内供给第1气体；及

第3工序，在所述第2工序之后，向所述处理室内供给第2气体及等离子体生成用高频电力，以开始在该处理室内生成基于包含该第2气体的该处理室内的气体的等离子体的处理，

所述第1气体含有氧，

所述第3工序中所生成的等离子体含有沉积物种及蚀刻物种，

在所述第3工序中，通过调整该第3工序中生成的等离子体中所述沉积物种和所述蚀刻物种的比例，而仅在所述绝缘部的第2表面选择性地形成绝缘膜，以使得所述第1表面中基于蚀刻的核的消失速度比核生成速度快且所述第2表面中基于蚀刻的核的消失速度比核生成速度慢，

在所述第3工序中所生成的等离子体中，所述蚀刻物种所占的比例比所述沉积物种所占的比例多。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述沉积物种的元素为硅，所述蚀刻物种的元素为卤素。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述蚀刻物种的元素为氟。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第2气体含有硅及卤素。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述金属部含有铜。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

在所述第3工序中，在同一时刻进行向所述处理室内的所述第2气体的供给与向该处理室内的所述等离子体生成用高频电力的供给。

7.根据权利要求6所述的方法，该方法还具备：

第4工序，在所述第3工序之后，结束等离子体的生成，

在该第4工序中，在结束向所述处理室内的所述等离子体生成用高频电力的供给之后，在同一时刻结束向该处理室内的所述第1气体的供给与向该处理室内的所述第2气体的供给。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

在所述第1工序中，所述处理室的内侧的表面具有被含有硅及卤素的预涂膜覆盖的部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，

在所述第3工序中，所述被处理体的温度在50摄氏度以上且450摄氏度以下的范围内。

10.一种处理被处理体的装置，具备：

处理室，收容所述被处理体；

处理气体供给系统，向所述处理室内供给第1气体以及第2气体；

高频电源，向所述处理室内供给等离子体生成用高频电力；以及

控制部，

所述被处理体包含金属部、绝缘部及主表面，在该主表面侧露出有该金属部的第1表面及该绝缘部的第2表面，

上述控制部控制所述处理气体供给系统以及所述高频电源，以执行如下三个工序：

第1工序，将所述被处理体收容于所述处理室内；

第2工序，在所述第1工序之后，开始向所述处理室内供给第1气体；及

第3工序，在所述第2工序之后，向所述处理室内供给第2气体及等离子体生成用高频电力，以开始在该处理室内生成基于包含该第2气体的该处理室内的气体的等离子体的处理，

所述第1气体含有氧，

所述第3工序中所生成的等离子体含有沉积物种及蚀刻物种，

在所述第3工序中，通过调整该第3工序中生成的等离子体中所述沉积物种和所述蚀刻物种的比例，而仅在所述绝缘部的第2表面选择性地形成绝缘膜，以使得所述第1表面中基于蚀刻的核的消失速度比核生成速度快且所述第2表面中基于蚀刻的核的消失速度比核生成速度慢，

在所述第3工序中所生成的等离子体中，所述蚀刻物种所占的比例比所述沉积物种所占的比例多。