[发明专利]经由单晶REN和REO缓冲层在硅上形成的III族半导体外延在审
| 申请号： | 201780035828.2 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109690737A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | R·达尔基斯;A·克拉克;M·莱贝;R·佩尔策尔 | 申请（专利权）人： | IQE公开有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了用于在Si<110>和Si<100>上方形成III‑V族半导体材料的层结构。各种缓冲层和界面减小III‑V族半导体材料与Si<110>或Si<100>层之间的晶格应变，从而允许外延形成高品质的III‑V族半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 缓冲层 晶格应变 层结构 高品质 单晶 减小 | ||
【主权项】：
1.一种层结构，其包含：第一层，该第一层包含硅并且具有<100>取向；在第一层上方的含稀土元素氧化物的层；含III族层，该含III族层在含稀土元素氧化物层上方并且具有<100>取向或<0001>取向；其中含稀土元素氧化物层和含III族层是外延形成的。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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