[发明专利]原子层生长装置及原子层生长方法有效
| 申请号： | 201780035099.0 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN109314055B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 鹫尾圭亮;松本竜弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 南霆;程爽 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种原子层生长装置，具有：成膜容器(11)，其进行成膜处理；载物台(14)，其保持基板(100)并可上下移动；基座(50)，其被保持在载物台(14)上，并且保持基板(100)；载物台停止器(17)，其使载物台(14)的上升停止，并且通过与基座(50)的接触而划分出进行上述成膜处理的成膜空间(S)与进行上述基板(100)的搬送的搬送空间。而且，基座50具有：上部基座基板保持部(52B)，其保持基板(100)；上部基座周边部(52A)，其配置在上部基座基板保持部(52B)的周围；在上部基座周边部(52A)上设置有基座防附着材料(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种原子层生长装置，其特征在于，具有：成膜容器，其对基板进行成膜处理；载物台，其能够上下移动且设置在所述成膜容器内；基座，其被保持在所述载物台上，并保持所述基板；载物台停止器，其使所述载物台的上升停止，并通过与所述基座的接触，划分出进行所述成膜处理的成膜空间与进行所述基板的搬送的搬送空间；所述基座具有：第一基座，其保持所述基板；第二基座，其配置在所述第一基座的周围；在所述第二基座上设置有基座防附着材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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