[发明专利]原子层生长装置及原子层生长方法

说明书

一种原子层生长装置，具有：成膜容器(11)，其进行成膜处理；载物台(14)，其保持基板(100)并可上下移动；基座(50)，其被保持在载物台(14)上，并且保持基板(100)；载物台停止器(17)，其使载物台(14)的上升停止，并且通过与基座(50)的接触而划分出进行上述成膜处理的成膜空间(S)与进行上述基板(100)的搬送的搬送空间。而且，基座50具有：上部基座基板保持部(52B)，其保持基板(100)；上部基座周边部(52A)，其配置在上部基座基板保持部(52B)的周围；在上部基座周边部(52A)上设置有基座防附着材料(15)。

技术领域

本发明涉及一种例如在基板上形成薄膜的原子层生长装置及原子层生长方法。

背景技术

原子层生长技术是将构成所形成的薄膜的元素的气体交替的供给至基板上，在基板上以原子层为单位形成薄膜的技术，作为均匀形成薄膜的技术而广为人知。另外，与CVD(Chemical-Vapor-Deposition，化学气相沉积)法相比，原子层生长方法的高低差的覆盖性及膜厚控制性优异。

若通过原子层生长方法来反复进行薄膜的形成，则在成膜容器的内壁也会附着薄膜。若附着在成膜容器的内壁上的薄膜的厚度变厚，则所堆积的薄膜会剥离，而其中的一部分成为颗粒(Particle)。因此，需要将附着在成膜容器的内壁上的薄膜定期的去除。

例如，日本特开2006-351655号公报(专利文献1)中披露了一种处理方法及气相生长装置，使用防附着板，并将堆积在腔室的内壁上的堆积物用非晶质膜覆盖。

另外，例如日本特开2000-243711号公报(专利文献2)中披露了一种基板处理装置的构造，在反应室内分别以可装卸的方式设置有侧壁罩盖(Cover)、地板面罩盖、上部罩盖及下部罩盖，并且使非活性气体在基座(Susceptor)的下表面流动。

另外，例如日本特开2001-316797号公报(专利文献3)中披露了如下内容：在成膜装置中，将防附着构件安装在基板载体上，防止膜附着在基板载体的表面上。

另外，例如日本特开2014-133927号公报(专利文献4)中披露了如下内容：在等离子体处理装置中，在处理室内设置防附着板，防止绝缘物附着在基板上以外的部分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-351655号公报

专利文献2：日本特开2000-243711号公报

专利文献3：日本特开2001-316797号公报

专利文献4：日本特开2014-133927号公报

发明内容

发明要解决的问题

在利用原子层生长方法进行的成膜中，因为所使用的原料气体(例如TMA：Tri-Methyl-Aluminum，三甲基铝)容易扩散，所以容易侵入成膜容器内的微细间隙中而形成膜。例如在成膜室及搬送室由载物台停止器与载物台或基座来划分的原子层生长装置中，在上述划分部分产生间隙，容易成为产生颗粒的部位。也就是说，侵入到这样的微细间隙中的原料气体成为膜及粉，而成为颗粒的主因。

特别是，在与大型玻璃基板对应的大面积型式的原子层生长装置中，若基板越大则载物台也越大，而载物台越大则载物台的平整度也越下降。其结果是，在上述划分部分处的间隙增大，颗粒的产生更加显著。

其他的问题与新的特征能够从本说明书的记载及所附附图来明确。

解决问题的手段