[发明专利]在合并N阱块中使用分离N阱单元的方法和装置以及对应的器件有效
| 申请号： | 201780034738.1 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109314108B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | H·潘特;M·Y·夏利弗;P·纳德萨米;R·维兰谷迪皮查;D·巴恩 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06F30/39;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本公开的一个方面，提供了一种用于减少由在合并n阱电路块(700)中使用分离n阱单元(704)而引起的路由拥塞的MOS器件。MOS器件包括在第一方向上彼此相邻的第一组单元(702)。MOS器件包括在第一方向上彼此相邻并且在第二方向上与第一组单元相邻的第二组单元(704)。第二组单元每个包括彼此分离的第一n阱(712)、第二n阱(714)和第三n阱(716)。MOS器件包括在第二组单元(704)中在第一方向上延伸的互连件(720)。互连件(720)向第二组单元(704)中的每个单元的第一n阱(712)提供电压源。 | ||
| 搜索关键词： | 合并 阱块中 使用 分离 单元 方法 装置 以及 对应 器件 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：在第一方向上彼此相邻的第一组单元，所述第一组单元中的每个单元包括耦合到第一电压源的n型阱(n阱)；第二组单元，在所述第一方向上彼此相邻并且在与所述第一方向正交的第二方向上与所述第一组单元相邻，所述第二组单元每个包括彼此分离的第一n阱、第二n阱和第三n阱，每个第一n阱与所述第一组单元中的相邻单元的n阱连续，所述第二n阱在所述第一n阱与所述第三n阱之间，所述第一n阱和所述第三n阱耦合到所述第一电压源，所述第二n阱耦合到不同于所述第一电压源的第二电压源；以及在所述第二组单元中在所述第一方向上延伸的互连件，所述互连件向所述第二组单元中的每个单元的所述第一n阱提供所述第一电压源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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