[发明专利]在合并N阱块中使用分离N阱单元的方法和装置以及对应的器件

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体MOS器件，包括：

在第一方向上彼此相邻的第一组单元，所述第一组单元中的每个单元包括耦合到第一电压源的n型阱；

第二组单元，在所述第一方向上彼此相邻并且在与所述第一方向正交的第二方向上与所述第一组单元相邻，所述第二组单元每个包括彼此分离的第一n型阱、第二n型阱和第三n型阱，每个第一n型阱与所述第一组单元中的相邻单元的n型阱连续并且通过间隔与所述第二n型阱分离，所述第二n型阱在所述第一n型阱与所述第三n型阱之间，所述第一n型阱和所述第三n型阱耦合到所述第一电压源，所述第二n型阱耦合到不同于所述第一电压源的第二电压源；以及

在所述第二组单元中在所述第一方向上延伸的互连件，所述互连件向所述第二组单元中的每个单元的所述第一n型阱提供所述第一电压源。

2.根据权利要求1所述的MOS器件，其中所述第一n型阱与所述第二组单元中的每个单元的第一侧相邻，并且所述第三n型阱与所述第二组单元中的每个单元的第二侧相邻，所述第二侧与所述第一侧相对，并且其中所述第二组单元在所述第一侧在所述第一方向上对准。

3.根据权利要求2所述的MOS器件，其中所述互连件在所述第一方向上在与所述第一侧相邻的所述第一n型阱之上延伸。

4.根据权利要求1所述的MOS器件，其中所述第一组单元中的每个单元包括在所述n型阱的区域内的多个p型MOS晶体管，并且所述多个p型MOS晶体管的子集由可切换电压源供电。

5.根据权利要求1所述的MOS器件，其中所述互连件在金属3层上并且是金属3层互连件。

6.根据权利要求1所述的MOS器件，还包括在所述第二组单元中的每个单元中在所述第二方向上延伸的第二互连件，所述第二互连件将所述第一电压源从所述第二组单元中的每个单元中的所述第一n型阱耦合到所述第三n型阱。

7.根据权利要求1所述的MOS器件，还包括在所述第一方向上彼此相邻的第三组单元，所述第三组单元在所述第二方向上与所述第二组单元相邻，所述第三组单元中的每个单元包括与所述第二组单元中的相邻单元的所述第三n型阱连续的n型阱，所述第三组单元的每个n型阱通过所述第二组单元中的对应的相邻单元的所述第三n型阱耦合到所述第一电压源。

8.根据权利要求1所述的MOS器件，其中所述第一组单元中的每个单元中的晶体管是鳍式场效应晶体管（FinFet）。

9.一种操作金属氧化物半导体MOS器件的方法，包括：

向在第一方向上彼此相邻的第一组单元提供第一电压，所述第一组单元中的每个单元包括被提供有所述第一电压的n型阱；

向在所述第一方向上彼此相邻并且在与所述第一方向正交的第二方向上与所述第一组单元相邻的第二组单元提供所述第一电压和与所述第一电压不同的第二电压，所述第二组单元每个包括彼此分离的第一n型阱、第二n型阱和第三n型阱，每个第一n型阱与所述第一组单元中的相邻单元的n型阱连续并且通过间隔与所述第二n型阱分离，所述第二n型阱在所述第一n型阱与所述第三n型阱之间，所述第一n型阱和所述第三n型阱被提供有所述第一电压，所述第二n型阱被提供有所述第二电压；以及

在所述第二组单元中的在所述第一方向上延伸的互连件中传播所述第一电压，所述互连件向所述第二组单元中的每个单元的所述第一n型阱提供所述第一电压。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一n型阱与所述第二组单元中的每个单元的第一侧相邻，并且所述第三n型阱与所述第二组单元中的每个单元的第二侧相邻，所述第二侧与所述第一侧相对，并且其中所述第二组单元在所述第一侧在所述第一方向上对准。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述互连件在所述第一方向上在与所述第一侧相邻的所述第一n型阱之上延伸。