[发明专利]在合并N阱块中使用分离N阱单元的方法和装置以及对应的器件

说明书

在本公开的一个方面，提供了一种用于减少由在合并n阱电路块(700)中使用分离n阱单元(704)而引起的路由拥塞的MOS器件。MOS器件包括在第一方向上彼此相邻的第一组单元(702)。MOS器件包括在第一方向上彼此相邻并且在第二方向上与第一组单元相邻的第二组单元(704)。第二组单元每个包括彼此分离的第一n阱(712)、第二n阱(714)和第三n阱(716)。MOS器件包括在第二组单元(704)中在第一方向上延伸的互连件(720)。互连件(720)向第二组单元(704)中的每个单元的第一n阱(712)提供电压源。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年6月6日提交的题为“在合并N阱块中使用分离N阱单元的方法和装置(METHODS AND APPARATUS FOR USING SPLIT N-WELL CELLS IN A MERGED N-WELLBLOCK)”的美国专利申请No.15/174,684的权益，该专利申请通过整体引用明确地并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及半导体设计，并且更具体地涉及电路和布局构造。

背景技术

集成电路(IC)器件可以包含处理多个电压电平的功能电路。这种器件通常称为多电压电平器件，并且这种功能电路可以称为多电压电路。多电压电路可以包括但不限于常通(AON)缓冲器/反相器、隔离单元、开关、电平移位器、保持寄存器等。因为多电压电路处理多个电压电平，所以多电压电路中的一些单元可以具有分离n型阱(n阱)和用于提供多个电压电平的多个路线。

合并n阱是连续的n阱，其由一个或多个单元的若干晶体管共享。在电路块中的合并n阱的使用可以提供显著的面积节省机会，并且因此可以在高级电路的设计中是流行的。然而，IC还可以包含具有分离n阱单元的多电压电路。可能期望以不会导致面积开销或路由拥塞、从而使得设计可制造的方式在合并n阱电路块中利用分离n阱单元的架构的改进。

发明内容

以下呈现一个或多个方面的简要概述以便提供对这些方面的基本理解。该概述不是对所有预期方面的广泛概述，并且既不旨在标识所有方面的关键或重要要素，也不旨在描绘任何或所有方面的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或多个方面的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。

合并n阱电路块可以包含大量分离n阱单元。每个分离n阱单元可能需要被路由到AON电压源，从而导致路由拥塞，甚至使得合并n阱电路块的设计难以或不可能制造。

在本公开的一个方面，提供了一种金属氧化物半导体(MOS)器件。MOS器件可以包括在第一方向上彼此相邻的第一组单元。第一组单元中的每个单元可以包括耦合到第一电压源的n阱。MOS器件可以包括在第一方向上彼此相邻并且在与第一方向正交的第二方向上与第一组单元相邻的第二组单元。第二组单元每个可以包括彼此分离的第一n阱、第二n阱和第三n阱。每个第一n阱可以与第一组单元中的相邻单元的n阱连续。第二n阱可以在第一n阱与第三n阱之间。第一n阱和第三n阱可以耦合到第一电压源。第二n阱可以耦合到不同于第一电压源的第二电压源。MOS器件可以包括在第二组单元中在第一方向上延伸的互连件。互连件可以向第二组单元中的每个单元的第一n阱提供第一电压源。

在本公开的另一方面，提供了一种用于操作MOS器件的方法和装置。该装置可以向在第一方向上彼此相邻的第一组单元提供第一电压。第一组单元中的每个单元可以包括被提供有第一电压的n阱。该装置可以向在第一方向上彼此相邻并且在与第一方向正交的第二方向上与第一组单元相邻的第二组单元提供第一电压和不同于第一电压的第二电压。第二组单元每个可以包括彼此分离的第一n阱、第二n阱和第三n阱。每个第一n阱可以与第一组单元中的相邻单元的n阱连续。第二n阱可以在第一n阱与第三n阱之间。可以为第一n阱和第三n阱提供第一电压。可以为第二n阱提供第二电压。该装置可以在第二组单元中的在第一方向上延伸的互连件中传播第一电压。互连件可以向第二组单元中的每个单元的第一n阱提供第一电压。