[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780034536.7 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109219889B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 滨田宪治;海老原洪平 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种在超级结构造中不仅在单元区域、在终端区域中也能够良好地确保耐压的半导体装置。基于本发明的半导体装置是具有单元区域(CL)和终端区域(ET)的半导体装置(1)，具备：第一导电类型的漂移区域(3)和第二导电类型的柱形区域(4)，在SiC基板(2)上沿厚度方向延伸，且在与厚度方向垂直的方向上从单元区域(CL)至端区域(ET)交替地形成；降低表面电场层(10)，在终端区域(ET)中，跨多个柱形区域(4)地形成，从漂移区域(3)和柱形区域(4)的表面向厚度方向形成；以及第二导电类型的高浓度区域(11)，形成于降低表面电场层(10)的表面内，杂质浓度比降低表面电场层(10)高，其中，在高浓度区域(11)的厚度方向的下方未形成柱形区域(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有作为动作区域的单元区域(CL)以及在俯视时包围所述单元区域(CL)的终端区域(ET)，该半导体装置的特征在于，具备：基板(1)；第一导电类型的漂移区域(3)和第二导电类型的柱形区域(4)，在所述基板(1)上沿厚度方向延伸，且在与所述厚度方向垂直的垂直方向上从所述单元区域(CL)至所述终端区域(ET)交替地形成；第二导电类型的降低表面电场层(10)，在所述终端区域(ET)中，跨多个所述柱形区域(4)地形成，从所述漂移区域(3)和所述柱形区域(4)的表面在所述厚度方向上形成；以及第二导电类型的高浓度区域(11)，形成于所述降低表面电场层(10)的表面内，杂质浓度比所述降低表面电场层(10)高，其中，在所述高浓度区域(11)的所述厚度方向的下方未形成所述柱形区域(4)。
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