[发明专利]存储器阵列、存储器阵列片材及它们的制造方法有效
| 申请号: | 201780032299.0 | 申请日: | 2017-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN109196636B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
| 发明(设计)人: | 河井翔太;村濑清一郎;清水浩二 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/8246 | 分类号: | H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/112;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 杨宏军<国际申请>=PCT/JP2017 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的一个方式的存储器阵列在基板上具备多条第一布线、与上述多条第一布线交叉的至少一条第二布线、对应于上述多条第一布线与第二布线的交点而设置的多个存储器元件。上述多个存储器元件能够分别记录不同的信息。另外,本发明的一个方式的存储器阵列片材在片材上具有多个上述存储器阵列。这样的存储器阵列或从存储器阵列片材切分而形成的存储器阵列可用于无线通信装置。 | ||
| 搜索关键词: | 存储器阵列 片材 布线 无线通信装置 存储器元件 布线交叉 基板 可用 制造 记录 | ||
【主权项】:
1.存储器阵列,其特征在于,在基板上具备:/n多条第一布线;/n与所述多条第一布线交叉的至少一条第二布线;和/n多个存储器元件,其对应于所述多条第一布线与所述至少一条第二布线的各交点而设置,并且各自具有彼此分隔开而配置的第一电极及第二电极、连接于所述至少一条第二布线中的一条的第三电极、和将所述第一电极及所述第二电极与所述第三电极电绝缘的绝缘层,/n其中,所述第一电极及所述第二电极中的任一者连接于所述多条第一布线中的一条,/n所述多个存储器元件中的至少一者在所述第一电极与所述第二电极之间的区域中具有涂布层,/n所述多个存储器元件包含因所述涂布层而使得所述第一电极与所述第二电极之间的电特性彼此不同的两种存储器元件,/n所述涂布层为包含被涂布于所述第一电极与所述第二电极之间的区域中的半导体材料的半导体层,/n所述半导体层含有碳纳米管,/n所述碳纳米管含有在所述碳纳米管的表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体,/n所述两种存储器元件中,一种存储器元件为具有所述半导体层的存储器元件,另一种存储器元件为不具有所述半导体层的存储器元件,/n所述一种存储器元件及所述另一种存储器元件根据所述半导体层的有无而分别记录彼此不同的各信息,/n通过将所述两种存储器元件任意组合而成的排列来确定所记录的信息。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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