[发明专利]生产单晶硅半导体晶片的方法、生产单晶硅半导体晶片的设备和单晶硅半导体晶片有效
| 申请号： | 201780031978.6 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN109154101B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | W·霍维泽尔;D·克耐尔;W·沙兴格;大久保正道 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/14;C30B15/20;C30B15/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于生产单晶硅半导体晶片的方法、用于进行该方法的设备以及包含氧和至少一种n型掺杂剂的单晶硅半导体晶片。所述方法包括在石英坩埚中提供包含n型掺杂剂的硅熔体，其中所述熔体具有初始高度hM；通过向具有初始高度hm的所述熔体的上部体积选择性地供应热来从侧面加热所述熔体，其中所述高度hm小于所述高度hM；通过CZ法以拉制速度V从所述熔体拉制硅单晶；从所述生长的单晶和所述熔体之间的相界区域的上方加热所述熔体；从所述熔体的表面区域的上方加热所述熔体；使所述熔体经受磁场；用p型掺杂剂反掺杂所述熔体；和从所述单晶分离所述单晶硅半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 单晶硅 半导体 晶片 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.生产包含氧和至少一种n型掺杂剂的单晶硅半导体晶片的方法，其包括：在石英坩埚中提供包含n型掺杂剂的硅熔体，其中所述熔体具有初始高度hM；通过向所述熔体的具有初始高度hm的上部体积选择性地供应热来从侧面加热所述熔体，其中所述高度hm小于所述高度hM；通过CZ法以拉制速度V从所述熔体拉制硅单晶；从生长的单晶和熔体之间的相界区域的上方加热熔体；从所述熔体的表面区域的上方加热熔体；使所述熔体经受磁场；用p型掺杂剂反掺杂所述熔体；和将单晶硅半导体晶片与单晶分离。
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