[发明专利]电容器在审
| 申请号： | 201780030858.4 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN109155285A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 竹内雅树;西山茂纪;中川博;后藤觉;中村吉成 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使用了沟道式电容器的电力用半导体中能够抑制因沿面放电引起的装置破坏。该电容器具备：基板；电容器形成区域，其在基板设置有一个以上的沟道；虚设区域，其在基板上位于电容器形成区域与该基板的端部之间；第一电极以及介电膜，它们至少覆盖电容器形成区域，且设置于一个以上的沟道的内部；第二电极，其覆盖电容器形成区域，电位与第一电极不同；以及延长部，其形成于虚设区域，在从第二电极起至基板的端部为止的路径相对于基板形成凹或凸。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 电容器 电容器形成区域 覆盖电容器 第二电极 第一电极 虚设区域 沟道 电位 沟道式电容器 基板设置 沿面放电 介电膜 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，其具备：基板；电容器形成区域，其在所述基板设置有一个以上的沟道；虚设区域，其在所述基板上位于所述电容器形成区域与该基板的端部之间；第一电极以及介电膜，至少覆盖所述电容器形成区域，且设置于所述一个以上的沟道的内部；第二电极，其覆盖所述电容器形成区域，电位与所述第一电极不同；以及延长部，其形成于所述虚设区域，在从所述第二电极起至所述基板的端部为止的路径上相对于所述基板形成凹或凸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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