[发明专利]用于制备复合晶圆的方法在审
| 申请号： | 201780021504.3 | 申请日： | 2017-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108885971A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次;丹野雅行;加藤公二 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于制备复合晶圆的方法，其在包括具有低的热膨胀系数的支撑衬底和在支撑衬底上堆叠的具有高的热膨胀系数的钽酸锂薄膜的复合晶圆中，能够减少由钽酸锂薄膜和支撑衬底之间的接合界面上的入射信号的反射引起的杂散。用于制备复合晶圆的方法是这样的用于制备复合晶圆的方法：其通过将具有高的热膨胀系数的钽酸锂晶圆粘合到具有低的热膨胀系数的支撑晶圆上来制备复合晶圆，其中在粘合到一起之前，从钽酸锂晶圆和/或支撑晶圆的粘合表面注入离子，以干扰各个粘合表面附近的结晶度。 | ||
| 搜索关键词： | 复合晶 制备 热膨胀系数 晶圆 衬底 支撑 钽酸锂薄膜 粘合表面 钽酸锂 粘合 入射信号 注入离子 接合 结晶度 堆叠 杂散 反射 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备复合晶圆的方法，通过将钽酸锂晶圆或铌酸锂晶圆(下文中称为“堆叠晶圆”)粘合到具有比所述钽酸锂晶圆或所述铌酸锂晶圆更小的热膨胀系数的支撑晶圆来制备复合晶圆，其中，在粘合到一起之前，执行从所述堆叠晶圆和/或所述支撑晶圆的粘合表面注入离子以干扰各个所述粘合表面附近的结晶度的离子注入步骤。
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