[发明专利]在半导体处理设备上以电化学方式形成氧化钇的方法有效
| 申请号： | 201780016714.3 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108779568B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 拉克什斯瓦尔·卡利塔;普莉娜·A·古拉迪雅;吉蒂卡·巴贾;尤吉塔·巴瑞克;宜兴·林;迪米特里·卢伯米尔斯基;安库尔·凯达姆;拜平·塔库尔;凯文·A·帕克;考希克·维迪亚 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C25D5/50 | 分类号： | C25D5/50;C25D3/54;C25D9/12;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的钇的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 设备 电化学 方式 形成 氧化钇 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上沉积材料的方法，包含以下步骤：将铝基板安置于电镀浴中，所述电镀浴包含非水性溶剂及沉积前驱物；将涂层沉积于所述铝基板上，所述涂层包含三氧化二钇(yttria)；从所述铝基板去除过量的镀覆溶液；和后处理其上具有所述涂层的所述铝基板。
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