[发明专利]光电转换元件及其制造方法和摄像装置

摘要

根据本发明的光电转换元件包括：由具有第一导电类型的第一化合物半导体材料制成的第一化合物半导体层31；形成在第一化合物半导体层31上的光电转换层34；覆盖光电转换层34并且由具有第一导电类型的第二化合物半导体材料制成的第二化合物半导体层32；至少形成在第二半导体层32的一部分中的具有不同于第一导电类型的第二导电类型并且到达光电转换层的第二导电类型区域35；围绕光电转换层的侧表面的元件隔离层34；形成在第二导电类型区域上的第一电极51；和电连接至第一化合物半导体层31的第二电极52。第二电极形成在第一化合物半导体层的光入射侧表面上。根据本发明的摄像装置包括上述光电转换元件。本发明还提供了用于制造上述光电转换元件的方法。

主权项

1.一种光电转换元件，其包括：第一化合物半导体层，其由具有第一导电类型的第一化合物半导体材料制成；光电转换层，其形成在第一化合物半导体层上；第二化合物半导体层，其覆盖光电转换层，并由具有第一导电类型的第二化合物半导体材料制成；第二导电类型区域，其至少形成在第二化合物半导体层的一部分中，具有不同于第一导电类型的第二导电类型，并且到达光电转换层；元件隔离层，其围绕光电转换层的侧表面；第一电极，其形成在第二导电类型区域上；和第二电极，其电连接至第一化合物半导体层。