[发明专利]具有改善粒子性能的晶片接触表面突部轮廓有效
申请号: | 201780015129.1 | 申请日: | 2017-02-02 |
公开(公告)号: | CN108780773B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 林奕宽;C·瓦尔德弗里德;J·M·格拉斯科欧 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 顾晨昕 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有整体非弧形顶表面状突部的静电吸盘,所述突部具有与椭圆的部分类似的边缘表面。所述突部的结构导致由所支撑衬底与所述吸盘之间的交互生成的微粒材料减少。通过改善所述突部表面的平滑化及平坦化来达成降低刮擦、打磨、磨损及微粒生成的水平。 | ||
搜索关键词: | 具有 改善 粒子 性能 晶片 接触 表面 轮廓 | ||
【主权项】:
1.一种静电吸盘,其包括:电极,其在陶瓷基座中;及所述静电吸盘的表面层,其由所述电极中的电压激活以形成将衬底静电地夹箝到所述静电吸盘的电荷;所述静电吸盘的所述表面层包括多个突部,所述突部包括形态是柱形或粒状且微结构是结晶或非晶的成分,所述突部延伸到高于围绕所述突部的所述表面层的平均高度H,在所述衬底的静电夹箝期间所述突部将所述衬底支撑在所述突部上;所述突部的横截面具有通过非弧形平台状顶表面、边缘表面及侧表面来特性化的结构;所述突部的所述非弧形平台状顶表面具有以微米计的长度L、通过以微米计的平坦度参数Δ来特性化,所述顶表面具有1微米或更小的表面粗糙度Ra及小于±0.01的(Δ*100)/L值;所述突部的所述边缘表面是在所述突部的所述顶表面与所述侧表面之间且具有位于椭圆的象限或其部分上或内的边缘表面轮廓,这个椭圆的短轴Y与所述突部的所述顶表面的部分相交,其中所述(Δ*100)/L值等于或大于±0.01,且所述椭圆的短轴顶端沿所述突部的所述顶表面放置,Y/2值是0.5微米或更小;所述椭圆的长轴X基本上平行于所述突部的所述顶表面或所述表面层,且X/2值是在25微米与250微米之间;且所述突部的所述侧表面连接所述静电吸盘的所述边缘表面及所述表面层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造