[发明专利]具有改善粒子性能的晶片接触表面突部轮廓

权利要求书

1.一种静电吸盘，其包括：

电极，其在陶瓷基座中；及

所述静电吸盘的表面层，其由所述电极中的电压激活以形成将衬底静电地夹箝到所述静电吸盘的电荷；其中

所述静电吸盘的所述表面层包括多个突部，所述突部包括形态是柱形或粒状且微结构是结晶或非晶的成分，所述突部延伸到高于围绕所述突部的所述表面层的平均高度H，在所述衬底的静电夹箝期间所述突部将所述衬底支撑在所述突部上；

所述突部的横截面具有通过非弧形平台状顶表面、边缘表面及侧表面来特性化的结构；其中所述突部的所述非弧形平台状顶表面具有以微米计的长度L、通过以微米计的平坦度参数Δ来特性化，所述顶表面具有1微米或更小的表面粗糙度R_a及小于±0.01的(Δ*100)/L值；

所述突部的所述边缘表面是在所述突部的所述顶表面与所述侧表面之间且具有位于椭圆的象限或其部分上或内的边缘表面轮廓，所述椭圆的短轴Y与所述突部的所述顶表面的部分相交，其中所述(Δ*100)/L值等于或大于±0.01，且所述椭圆的短轴顶端沿所述突部的所述顶表面放置，Y/2值是0.5微米或更小；

所述椭圆的长轴X基本上平行于所述突部的所述顶表面或所述表面层，且X/2值是在25微米与250微米之间；且

所述突部的所述侧表面连接所述静电吸盘的所述边缘表面及所述表面层。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述突部侧表面与所述表面层成角，其中所述角是在80度与175度之间。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其进一步包括气体密封环或提升销密封件，所述气体密封环或所述提升销密封件延伸到高于所述表面层的平均高度H；其中

所述气体密封环或所述提升销密封件的横截面具有通过非弧形平台状顶表面、边缘表面及侧表面来特性化的结构；其中所述气体密封环或所述提升销密封件的所述非弧形平台状顶表面具有以微米计的长度L、通过以微米计的平坦度参数Δ来特性化，所述顶表面具有1微米或更小的表面粗糙度R_a及小于±0.01的(Δ*100)/L值；

所述气体密封环或所述提升销密封件的所述边缘表面是在所述气体密封环或所述提升销密封件的所述顶表面与所述侧表面之间且具有位于椭圆的象限或其部分上或内的边缘表面轮廓，所述椭圆的短轴Y与所述气体密封环或所述提升销密封件的所述顶表面的部分相交，其中所述(Δ*100)/L值等于或大于±0.01，且所述椭圆的短轴顶端沿所述气体密封环或所述提升销密封件的所述顶表面放置，Y/2值是0.5微米或更小；

所述椭圆的长轴X基本上平行于所述气体密封环或所述提升销密封件的所述顶表面，且X/2值是在25微米与250微米之间；且

所述气体密封环或所述提升销密封件的所述侧表面连接所述边缘表面及所述表面层。

4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述突部包括钇、铝或铝及氧。

5.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述突部具有在5微米到20微米的范围内的高度。

6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中Δ具有在0.25微米与0.05微米之间的值。

7.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述突部具有在1微米与20微米之间的中心间距离。

8.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述突部包括覆盖陶瓷的涂层。

9.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述突部包括具有如由扫描电子显微法确定的柱形形态的成分。

10.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述突部包括具有如由x射线衍射测量的结晶形态的成分。