[发明专利]复合晶片，半导体器件，电子部件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201780014530.3 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108701652A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | T.法伊尔;P.加尼切尔;G.拉克纳;J.米勒;M.珀尔齐;T.波尔斯特;C.冯科布林斯基 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄涛;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在实施例中，一种方法包括：在半导体晶片的第一表面的非器件区域中形成至少一个沟槽，所述非器件区域布置在部件位置之间，所述部件位置包括器件区域和第一金属化结构；将第一聚合物层施加到半导体晶片的第一表面，使得沟槽和部件位置的边缘区域被第一聚合物层覆盖，并且使得第一金属化结构的至少一部分未被第一聚合物层覆盖；去除半导体晶片的第二表面的部分，第二表面与第一表面相对，在非器件区域中露出第一聚合物层的部分并产生经加工的第二表面；以及在非器件区域中穿过第一聚合物层插入分离线，以形成多个分离的半导体管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物层 非器件区域 半导体晶片 部件位置 第二表面 第一表面 半导体器件 金属化结构 半导体管芯 边缘区域 电子部件 复合晶片 器件区域 分离线 覆盖 去除 穿过 施加 加工 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体晶片的第一表面的非器件区域中形成至少一个沟槽，所述非器件区域被布置在部件位置之间，所述部件位置包括器件区域和第一金属化结构；将第一聚合物层施加到半导体晶片的第一表面，使得所述沟槽和所述部件位置的边缘区域被第一聚合物层覆盖，并且使得第一金属化结构的至少一部分未被第一聚合物层覆盖；去除半导体晶片的第二表面的部分，第二表面与第一表面相对，在非器件区域中露出第一聚合物层的部分并产生经加工的第二表面；将分离线穿过第一聚合物层插入所述非器件区域中以形成多个分离的半导体管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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