[发明专利]复合晶片，半导体器件，电子部件和制造半导体器件的方法

说明书

在实施例中，一种方法包括：在半导体晶片的第一表面的非器件区域中形成至少一个沟槽，所述非器件区域布置在部件位置之间，所述部件位置包括器件区域和第一金属化结构；将第一聚合物层施加到半导体晶片的第一表面，使得沟槽和部件位置的边缘区域被第一聚合物层覆盖，并且使得第一金属化结构的至少一部分未被第一聚合物层覆盖；去除半导体晶片的第二表面的部分，第二表面与第一表面相对，在非器件区域中露出第一聚合物层的部分并产生经加工的第二表面；以及在非器件区域中穿过第一聚合物层插入分离线，以形成多个分离的半导体管芯。

背景技术

为了制造单个半导体器件（诸如晶体管、光子器件或其他器件），可以处理半导体晶片以在晶片中的部件位置处形成多个半导体器件。根据半导体器件的结构，可以在晶片上形成多个功能层。半导体晶片可以包括器件区域，该器件区域包括在其中布置该器件的功能单元的半导体材料区域和非器件区域，非器件区域也称为锯道或切口。非器件区域可以围绕每个器件区域并描绘部件位置的轮廓。通常，器件区域以具有行和列的规则阵列形成，使得非器件区域具有正交网格的形式。在形成器件的相关部件之后，将晶片分离成单个芯片或管芯，例如通过划切晶片，例如通过锯切。通过沿着非器件区域切穿晶片的厚度，可以将芯片或管芯与晶片分离。

发明内容

在实施例中，复合半导体衬底包括第一聚合物层和一个或多个半导体管芯，所述半导体管芯具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、在第一表面和第二表面之间延伸的侧面以及在第一表面上的第一金属化结构。第一表面的边缘区域和侧面的至少部分嵌入第一聚合物层中，并且第一金属化结构的至少一个金属区域从第一聚合物层暴露。

在实施例中，一种方法包括：在半导体晶片的第一表面的非器件区域中形成至少一个沟槽，所述非器件区域布置在部件位置之间，所述部件位置包括器件区域和第一金属化结构；把第一聚合物层施加到半导体晶片的第一表面，使得所述沟槽和部件位置的边缘区域被第一聚合物层覆盖，并且使得第一金属化结构的至少一部分未被第一聚合物层覆盖；去除半导体晶片的第二表面的部分，第二表面与第一表面相对，在非器件区域中露出第一聚合物层的部分并产生经加工的第二表面；以及在非器件区域中穿过第一聚合物层插入分离线以形成多个分离的半导体管芯。

在实施例中，半导体器件包括半导体管芯，半导体管芯具有：第一表面，第一表面包括第一金属化结构和围绕第一金属化结构的边缘区域；第二表面，与第一表面相对并包括第二金属化结构；以及侧面。第一表面的边缘区域和侧面的部分被第一聚合物层覆盖，并且第二表面的边缘区域和侧面的部分被第二聚合物层覆盖，其中第二聚合物层与第一聚合物层接触。

在实施例中，一种电子部件包括半导体器件，该半导体器件包括半导体管芯，所述半导体管芯包括：第一表面，第一表面包括第一金属化结构和围绕第一金属化结构的边缘区域；第二表面，与第一表面相对并包括第二金属化结构；以及侧面。第一表面的边缘区域和侧面的部分被第一聚合物层覆盖，第二表面的边缘区域和侧面的部分被第二聚合物层覆盖，其中第二聚合物层与第一聚合物层接触。电子部件还包括：多个引线，其中第一金属化结构耦合到第一引线，并且第二金属化结构耦合到所述多个引线中的第二引线；以及塑料外壳组合物，其中塑料外壳组合物覆盖第一聚合物层和第二聚合物层。

本领域技术人员在阅读以下详细描述和查看附图时将认识到附加的特征和优点。

附图说明

包括附图以提供对本发明实施例的进一步理解，并且附图合并到本说明书中并构成本说明书的一部分。附图图示了本发明的实施例，并与描述一起用于解释原理。通过参考以下详细描述，将容易理解本发明的其他实施例和许多预期的优点，因为他们被更好地理解。附图的元素不一定相对于彼此成比例。相似的参考数字指定对应的类似部分。

图1A至1F图示了根据实施例的制作半导体器件的方法。

图2A至2F图示了根据实施例的制作半导体器件的方法。

图3A至3F图示了根据实施例的制作半导体器件的方法。