[发明专利]复合晶片，半导体器件，电子部件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体晶片的第一表面的非器件区域中形成至少一个沟槽，所述非器件区域被布置在部件位置之间，所述部件位置包括器件区域和第一金属化结构；

将第一聚合物层施加到半导体晶片的第一表面，使得所述沟槽和所述部件位置的边缘区域被第一聚合物层覆盖，并且使得第一金属化结构的至少一部分未被第一聚合物层覆盖；

去除半导体晶片的第二表面的部分，第二表面与第一表面相对，在非器件区域中露出第一聚合物层的部分并产生经加工的第二表面；

将分离线穿过第一聚合物层插入所述非器件区域中以形成多个分离的半导体管芯。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：将载体施加到第一表面，去除所述半导体晶片的第二表面的部分，以及在所述非器件区域中露出第一聚合物层的部分，同时所述载体被施加到第一聚合物层。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，所述分离线的宽度小于所述沟槽的宽度，使得所述多个分离的半导体管芯的侧面的至少部分包括第一聚合物层的一部分。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，第一聚合物层还覆盖第一金属化结构的边缘区域。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中通过印刷将第一聚合物层施加到所述半导体晶片的第一表面。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，还包括：至少部分地固化第一聚合物层。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中通过机械研磨、化学机械抛光、湿化学蚀刻和等离子体蚀刻中的至少一种来去除第二表面。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，还包括：将第二金属化结构施加到所述经加工的第二表面。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：从布置在所述非器件区域中的第一聚合物层去除第二金属化结构的部分，以及在所述经加工的第二表面上在器件区域中产生分立的导电部分。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：去除第一聚合物层的布置在所述非器件区域中的一部分。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：将第二聚合物层施加到所述经加工的第二表面，第二聚合物层至少覆盖布置在所述非器件区域中的第一聚合物层。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，还包括：将第二聚合物层施加到所述经加工的第二表面，使得布置在所述非器件区域中的第一聚合物层被第二聚合物层覆盖并且使得所述经加工的第二表面的包括半导体材料的区域未被第二聚合物层覆盖。

13.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，还包括：

将导电种子层施加到所述经加工的第二表面，使得布置在所述非器件区域中的第一聚合物层和所述经加工的第二表面的包括半导体材料的区域被所述种子层覆盖，

将第二聚合物层施加到所述种子层，使得所述非器件区域被第二聚合物层覆盖，并且使得所述经加工的第二表面的包括半导体材料的区域不被第二聚合物层覆盖。

14.根据权利要求12或权利要求13所述的方法，还包括：在所述经加工的第二表面的包括半导体材料的区域中将第二金属化结构施加到所述种子层，所述经加工的第二表面的包括半导体材料的区域未被第二聚合物层覆盖。

15.根据权利要求14所述的方法，其中第二金属化结构被构建到一定厚度，所述厚度与第二聚合物层的厚度基本相同或者小于第二聚合物层的厚度。