[发明专利]半导体存储元件，半导体器件，电子设备，以及半导体存储元件的制造方法有效
| 申请号： | 201780014488.5 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108701655B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 塚本雅则 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H10B69/00 | 分类号： | H10B69/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 高欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了能够进行更高速操作的半导体存储元件，并且所述半导体存储元件设置有：第一导电类型的第一半导体层(42)；第二导电类型的第二半导体层(41)，在第一半导体层下方设置；栅极电极(21)，在第一半导体层上设置；栅极绝缘膜(22)，在第一半导体层和栅极电极之间设置；第二导电类型的漏极区域(31)，在栅极电极的一侧上的第一半导体层中设置；第二导电类型的源极区域(32)，在栅极电极的另一侧上的第一半导体层中设置，所述另一侧在所述一次的对面，在所述一侧与所述另一侧之间存在栅极电极；以及位线(54)，与源极区域和第一半导体层两者电连接。还提供了半导体期间、电子设备以及用于制造所述半导体存储元件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 半导体器件 电子设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储元件，包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在第一半导体层下方设置；栅极电极，在第一半导体层上设置；栅极绝缘膜，在第一半导体层和栅极电极之间设置；第二导电类型的漏极区域，在栅极电极的一侧上的第一半导体层中设置；第二导电类型的源极区域，在隔着栅极电极在面对所述一侧的另一侧上的第一半导体层中设置；以及位线，被配置为与源极区域和第一半导体层两者电连接。
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