[发明专利]具有稳健的亚阈值操作的MOSFET晶体管有效
| 申请号： | 201780012917.5 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN109075165B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | X·吴;C·M·汤普森 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有形成在衬底上的晶体管区(106)的集成电路的所描述示例中，每个晶体管区(106)包括沟道区(116)和端子区(112,114)。沟道区(116)沿着横向尺度定位，并且其包括沿着纵向尺度的沟道边缘区。端子区(112,114)邻近沟道区(116)定位，并且其用第一导电类型的第一掺杂剂掺杂。每个晶体管区(106)可以包括边缘阻挡区，该边缘阻挡区沿着纵向尺度定位并且与沟道边缘区相邻。边缘阻挡区用与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂掺杂。沟道区(116)用掺杂剂掺杂并具有第一掺杂浓度。每个晶体管区(106)可以包括边缘恢复区(218)，该边缘恢复区(218)与沟道边缘区重叠并且具有高于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 稳健 阈值 操作 mosfet 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：具有彼此间隔开的晶体管区的衬底，每个所述晶体管区由纵向尺度和横向尺度限定，每个所述晶体管区包括：沿所述横向尺度定位的沟道区，所述沟道区具有沿所述纵向尺度的沟道边缘区；邻近所述沟道区定位的端子区，所述端子区用第一导电类型的第一掺杂剂掺杂；以及沿所述纵向尺度并邻近所述沟道边缘区定位的边缘阻挡区，所述边缘阻挡区用与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂掺杂；以及位于每个所述晶体管区的所述沟道区上方的栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
