[发明专利]用于大型电子装置的电子纯单手性半导体性单壁碳纳米管在审
| 申请号： | 201780011603.3 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN108885967A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李华平 | 申请（专利权）人： | 碳纳米管技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L27/00;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电子纯碳纳米管油墨，包含悬浮在液体中的半导体性碳纳米管的群体，该油墨基本上无金属性杂质及有机材料，且其特征在于：当作为碳纳米管网络并入金属/碳纳米管网络/金属双二极管中时，在施加从0.01V至100V的电位的情况下，获得非线性电流‑偏压曲线。该油墨可被用于制备空气稳定的n型薄膜晶体管，所述n型薄膜晶体管具有类似于用于平板显示器非晶硅装置中的当前薄膜晶体管及具有高κ介电质的高性能p型薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 油墨 碳纳米管网络 半导体性单壁碳纳米管 半导体性碳纳米管 大型电子装置 电位 金属 薄膜晶体管 非线性电流 金属性杂质 平板显示器 偏压曲线 双二极管 有机材料 非晶硅 介电质 纳米管 纯碳 单手 制备 悬浮 施加 群体 | ||
【主权项】：
1.一种电子纯碳纳米管油墨，包括：悬浮在液体中的单壁半导体性碳纳米管群体，所述油墨基本上无金属性杂质且特征在于：当作为碳纳米管网络并入金属/碳纳米管网络/金属双二极管中时，在施加从0.01V至5V的电位的情况下，获得非线性电流‑偏压曲线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于碳纳米管技术有限责任公司，未经碳纳米管技术有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780011603.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
