[发明专利]磷掺杂硅单晶有效
| 申请号： | 201780010459.1 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108699724B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 泰斯·莱斯·斯维加德;马丁·格莱斯瓦恩吉;克里斯蒂安·伽米洛夫特·辛德里森;苏尼·布·杜恩;安德斯·雷 | 申请（专利权）人： | TOPSIL环球晶圆股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B31/08;C30B31/20;H01L21/261 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 丹麦腓*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及直径至少为175mm且轴向长度在50mm至1000mm范围内的磷掺杂硅单晶，所述磷掺杂硅单晶在横向平面中具有的掺杂剂原子密度为从磷掺杂硅锭切割的晶片提供了5Ωcm至2000Ωcm范围内的目标电阻率(ρ |
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| 搜索关键词： | 掺杂 硅单晶 | ||
【主权项】：
1.直径至少为175mm且轴向长度在50mm至1000mm范围内的磷掺杂硅单晶，所述磷掺杂硅单晶在横向平面中具有的掺杂剂原子密度为从磷掺杂的硅锭切割的晶片提供了5Ωcm至2000Ωcm范围内的目标电阻率(ρNTD)，其中，当在800℃至1300℃范围内的温度下将硅退火之后测量电阻率时，对于至少75％的从磷掺杂硅单晶切割的晶片获得3％或更小的根据SEMI标准SEMI MF81测定的RRV值。
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