[发明专利]具有带可调功函数的栅叠层的半导体器件在审
| 申请号： | 201780006819.0 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108475639A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 鲍如强;S.克里什南;权彦五;V.纳拉亚南 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/4763;H01L21/8238;H01L21/28;H01L29/66;H01L29/49;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的栅叠层的方法包括：在器件的沟道区上方形成第一介电层，在第一介电层上形成第一氮化物层，在第一氮化物层上沉积清除层，在清除层上形成覆盖层，去除部分覆盖层和清除层以暴露栅叠层的n型场效应晶体管(nFET)区中第一氮化物层的一部分，在第一氮化物层和清除层上形成第一栅极金属层，在第一栅极金属层上沉积第二氮化物层，在第二氮化物层上沉积栅电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物层 清除层 栅叠层 半导体器件 栅极金属层 覆盖层 介电层 沉积 沉积栅电极 可调功函数 沟道区 去除 暴露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的栅叠层的方法，该方法包括：在器件的沟道区上方形成第一介电层；在第一介电层上形成第一氮化物层；在第一氮化物层上沉积清除层；在清除层上形成覆盖层；去除部分覆盖层和清除层以暴露栅叠层的n型场效应晶体管(nFET)区中第一氮化物层的一部分；在第一氮化物层和覆盖层上形成第一栅极金属层；在第一栅极金属层上沉积第二氮化物层；和在第二氮化物层上沉积栅电极材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
