[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201780003485.1 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109429526B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 徐挽杰;蔡皓程;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，涉及场效应晶体管技术领域，可在线隧穿结构中，抑制点隧穿。隧穿场效应晶体管的制备方法包括：在衬底(10)上形成隔离结构(20)，隔离结构(20)定义出有源区(30)；形成第一介质层(41)和第一掩膜结构(50)；第一掩膜结构(50)包括外侧(51)和内层(52)，外层(51)包括第一侧壁(511)和硬掩膜(512)；对露出的有源区(30)进行工艺处理形成漏区(31)；使用第一填充物进行填充进行平坦化工艺，露出内层(52)，以去除内层(52)以及其覆盖的第一介质层(41)；对露出的有源区(30)进行工艺处理形成源区(32)；在源区(32)上形成第二介质层(42)，且第二介质层(42)的厚度小于第一介质层(41)的厚度；形成第二侧壁(513)，使用第二填充物进行填充进行平坦化工艺；去除第一侧壁(511)和第二侧壁(513)、露出的第二介质层(42)，以形成栅介质层(43)和栅极(70)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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