[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成隔离结构，由所述隔离结构定义出有源区；

在形成有所述隔离结构的衬底上形成第一介质层和覆盖所述第一介质层的第一掩膜结构；其中，所述第一介质层覆盖部分所述有源区；所述第一掩膜结构包括外层和内层，所述外层包括第一侧壁和硬掩膜；

对露出的所述有源区进行工艺处理，形成漏区；

使用第一填充物进行填充，并进行平坦化的工艺，露出所述内层；

去除所述内层以及所述内层覆盖的所述第一介质层；

对露出的所述有源区进行工艺处理，形成源区；

在所述源区上形成第二介质层，且所述第二介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度；

形成第二侧壁，所述第二侧壁与所述第一侧壁接触，并使用第二填充物进行填充，进行平坦化的工艺；

去除所述第一侧壁和所述第二侧壁，并去除露出的所述第二介质层，再去除所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述第二介质层的区域，依次形成栅介质层和栅极；

形成保护层，并在所述保护层上对应所述有源区形成第一电极、第二电极和第三电极；所述第一电极与所述栅极接触，所述第二电极和所述第三电极分别与所述漏区和所述源区接触。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在去除所述第二介质层之后，形成所述栅介质层之前，所述方法还包括：

在所述衬底表面外延生长一层外延层，所述外延层的材料与所述衬底的材料相同。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质的材料均为SiO₂；

所述内层的材料为多晶硅；

所述外层和所述第二侧壁的材料均为Si₃N₄；

所述第一填充物、所述第二填充物和所述保护层的材料均为SiO₂。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底上形成隔离结构，包括:

对衬底进行光刻、刻蚀工艺，形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中填充SiO₂，形成所述隔离结构。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底上形成所述隔离结构之后，形成所述第一介质层和所述第一掩膜结构之前，所述方法还包括：

采用离子注入工艺，对所述有源区进行掺杂。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成有所述隔离结构的衬底上形成第一介质层和覆盖所述第一介质层的第一掩膜结构，包括：

在形成有所述隔离结构的衬底上形成第一介质薄膜，并在所述第一介质薄膜上依次沉积一层内层材料和一层硬掩模材料，采用光刻、刻蚀方法形成所述内层和位于所述内层上的所述硬掩膜；

在形成所述内层和所述硬掩膜的衬底上，沉积所述硬掩模材料，采用各向异性刻蚀的方法形成所述第一侧壁；

以由所述硬掩膜、所述第一侧壁和所述内层构成的所述第一掩膜结构为阻挡，对所述第一介质薄膜进行刻蚀，形成所述第一介质层。