[发明专利]晶圆级芯片的封装方法及封装体

摘要

本申请的实施例公开了晶圆级芯片的封装方法及封装体，涉及半导体技术领域。所述方法包括：将晶圆片与支撑载体贴合；减小所述晶圆片的厚度；在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽；在所述晶圆片的背面以及所述划片槽内粘附绝缘层；在所述绝缘层以及所述划片槽的底部添加金属层；去除所述划片槽的底部的所述金属层；在剩余的所述金属层上以及所述划片槽的底部粘附保护层；对所述保护层进行加工得到粘附孔，所述粘附孔的底部为外露的所述金属层；在所述粘附孔的底部的所述金属层上粘附锡球。本申请的实施例能够获得相对较薄的晶圆级芯片的封装体，增加了其机械结构强度，平衡了封装体积和封装强度的要求。

主权项

1.一种晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，包括：在晶圆片的线路面粘附覆盖层，其中，所述晶圆片包括相邻的单晶硅层和二氧化硅层，所述覆盖层粘附在所述二氧化硅层上，重布线层设置在所述覆盖层内，焊盘设置在所述二氧化硅层内，与所述重布线层接触形成电路；在所述覆盖层粘附支撑载体；减小所述晶圆片的厚度；在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽，其中，所述划片槽的区域包含焊盘或者重布线层所在的部分区域；在所述晶圆片的背面以及所述划片槽内粘附绝缘层；在所述绝缘层以及所述划片槽的底部添加金属层，其中，所述金属层与所述重布线层接触；去除所述划片槽的底部的所述金属层；在剩余的所述金属层上以及所述划片槽的底部粘附保护层；对所述保护层进行加工得到粘附孔，所述粘附孔的底部为外露的所述金属层；在所述粘附孔的底部的所述金属层上粘附锡球，所述锡球穿过所述保护层与所述金属层焊接在一起，所述锡球与所述金属层以及所述重布线层形成电路，作为所述晶圆片的封装体的电气互联点。