[实用新型]沟槽型二极管器件有效
| 申请号： | 201721894930.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207925486U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 朱开兴;徐承福 | 申请（专利权）人： | 福建龙夏电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 364012 福建省龙岩市新罗*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种沟槽型二极管器件，所述沟槽型二极管器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的多个沟槽结构，包括：外围的终端沟槽结构以及位于所述终端沟槽结构内侧的阵列分布的元胞沟槽结构，相邻元胞沟槽结构之间的间距相等为第一间距，最外圈的各位置处的元胞沟槽结构与终端沟槽结构之间的间距相等为第二间距，所述第一间距与所述第二间距相等，所述沟槽结构包括沟槽、覆盖所述沟槽内壁的介质层以及位于所述介质层表面且填充满所述沟槽的多晶硅层；连接所述沟槽结构以及被所述终端沟槽结构包围的半导体衬底表面的金属层。所述沟槽型二极管的漏电均匀性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽型二极管 沟槽结构 终端沟槽 间距相等 元胞沟槽 衬底 半导体 半导体衬底表面 介质层表面 多晶硅层 沟槽内壁 相邻元胞 阵列分布 漏电 介质层 金属层 均匀性 位置处 最外圈 外围 包围 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型二极管器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的多个沟槽结构，包括：外围的终端沟槽结构以及位于所述终端沟槽结构内侧的阵列分布的元胞沟槽结构，相邻元胞沟槽结构之间的间距相等，为第一间距，最外圈的各位置处的元胞沟槽结构与终端沟槽结构之间的间距相等，为第二间距，所述第一间距与所述第二间距相等，所述沟槽结构包括沟槽、覆盖所述沟槽内壁的介质层以及位于所述介质层表面且填充满所述沟槽的多晶硅层；连接所述沟槽结构以及被所述终端沟槽结构包围的半导体衬底表面的金属层。
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