[实用新型]沟槽型二极管器件

权利要求书

1.一种沟槽型二极管器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底内的多个沟槽结构，包括：外围的终端沟槽结构以及位于所述终端沟槽结构内侧的阵列分布的元胞沟槽结构，相邻元胞沟槽结构之间的间距相等，为第一间距，最外圈的各位置处的元胞沟槽结构与终端沟槽结构之间的间距相等，为第二间距，所述第一间距与所述第二间距相等，所述沟槽结构包括沟槽、覆盖所述沟槽内壁的介质层以及位于所述介质层表面且填充满所述沟槽的多晶硅层；

连接所述沟槽结构以及被所述终端沟槽结构包围的半导体衬底表面的金属层。

2.根据权利要求1所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所有元胞沟槽结构的横截面为圆形或具有六条边以上的多边形。

3.根据权利要求2所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述元胞沟槽结构呈正三角阵列分布。

4.根据权利要求3所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述终端沟槽结构靠近元胞沟槽结构的一侧包括多个具有相同半径的圆弧形侧壁；部分位于最外圈的元胞沟槽结构位于各个所述圆弧形侧壁所在圆周的圆心位置、其余位于最外圈的元胞沟槽结构的横截面的中心与相邻圆弧形侧壁的相接处之间的距离与所述圆弧形侧壁所在圆周的半径相等。

5.根据权利要求3所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述终端沟槽结构包括第一终端沟槽结构和第二终端沟槽结构；所述第一终端沟槽结构沿第一方向延伸，且靠近元胞沟槽结构的一侧包括多个具有相同半径的圆弧形侧壁；所述第二终端沟槽结构包括多个长条形的子沟槽结构，沿第二方向平行排列，所述第一方向与第二方向垂直，相邻子沟槽结构之间间距相等。

6.根据权利要求5所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述子沟槽结构的宽度均匀。

7.根据权利要求1所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，还包括：位于所述半导体衬底表面的层间介质层，所述层间介质层内具有接触孔，所述接触孔暴露出所述元胞沟槽结构、部分终端沟槽结构以及被所述终端沟槽结构包围的部分半导体衬底表面；位于所述接触孔底部的接触层；所述金属层覆盖所述接触层。