[实用新型]一种晶圆热处理装置有效
| 申请号： | 201721812613.0 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207651457U | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 黄雷 | 申请（专利权）人： | 昆山成功环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66;H01L21/687 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及了一种晶圆热处理装置，其包括：腔体，其通过进气口与高温惰性气体供应管路相连；在该管路上设置有单向节流阀；测温装置，其设置于腔体的内部；在腔体内部设置有晶圆放置架。该晶圆热处理装置直接采用高温惰性气体对晶圆进行加热，摒弃了传统电热丝加热并辅以惰性气体保护方式，使得装置结构大大简化，功能可靠性高，且避免了由于惰性气体填充不及时造成的晶圆被氧化现象。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 热处理装置 高温惰性气体 腔体 种晶 加热 进气口 惰性气体保护 惰性气体填充 本实用新型 单向节流阀 功能可靠性 测温装置 供应管路 腔体内部 氧化现象 装置结构 电热丝 放置架 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆热处理装置，其特征在于，包括：腔体，其通过进气口与高温惰性气体供应管路相连；在所述管路上设置有单向节流阀；测温装置，其设置于所述腔体的内部；在所述腔体内部设置有晶圆放置架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
