[实用新型]一种晶圆冷却装置有效
| 申请号： | 201721796770.7 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN207542215U | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 黄雷 | 申请（专利权）人： | 昆山成功环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及了一种晶圆冷却装置，用于冷却晶圆，其包括：腔体；均流板，固定在腔体底部；喷嘴，其为喷气提供装置，设置于腔体的侧壁或顶壁；在喷嘴与均流板之间还设置有分隔层，该分隔层上设置有开孔。该晶圆冷却装置通过其腔内设置的分隔层可直接改变喷嘴的气流方向，从而解决了作用于晶圆上的气流分布不均问题。 | ||
| 搜索关键词： | 喷嘴 分隔层 腔体 冷却装置 均流板 晶圆 种晶 晶圆冷却装置 本实用新型 气流分布 提供装置 侧壁 顶壁 开孔 腔内 冷却 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆冷却装置，用于冷却晶圆，其包括：腔体；均流板，固定在所述腔体底部；喷嘴，其为喷气提供装置，设置于所述腔体的侧壁或顶壁；其特征在于：在所述喷嘴与所述均流板之间还设置有分隔层，所述分隔层上设置有多个开孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
