[实用新型]一种晶圆冷却装置有效
| 申请号： | 201721796770.7 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN207542215U | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 黄雷 | 申请（专利权）人： | 昆山成功环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 喷嘴 分隔层 腔体 冷却装置 均流板 晶圆 种晶 晶圆冷却装置 本实用新型 气流分布 提供装置 侧壁 顶壁 开孔 腔内 冷却 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆冷却装置，用于冷却晶圆，其包括：腔体；均流板，固定在所述腔体底部；喷嘴，其为喷气提供装置，设置于所述腔体的侧壁或顶壁；其特征在于：在所述喷嘴与所述均流板之间还设置有分隔层，所述分隔层上设置有多个开孔。
2.根据权利要求1中所述的晶圆冷却装置，其特征在于，所述均流板与所述腔体可拆连接。
3.根据权利要求2中所述的晶圆冷却装置，其特征在于，所述均流板与所述腔体通过卡扣连接。
4.根据权利要求2中所述的晶圆冷却装置，其特征在于，所述均流板外形设置为圆形，且均流板上设置有内螺纹或外螺纹，所述腔体上设置有与之对应的外螺纹或内螺纹。
5.根据权利要求2中所述的晶圆冷却装置，其特征在于，所述分隔层几何中心的孔正对所述均流板几何中心，其四周布置有多个以所述孔几何中心为中心点圆周阵列的孔；沿着孔阵列中心至四周扩散方向，所述分隔层上的开孔尺寸逐渐变大。
6.根据权利要求2中所述的晶圆冷却装置，其特征在于，所述分隔层与所述腔体可拆连接。
7.根据权利要求6中所述的晶圆冷却装置，其特征在于，在所述分隔层上放置有透气性填充物。
8.根据权利要求7中所述的晶圆冷却装置，其特征在于，所述透气性填充物为聚酯纤维。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的晶圆冷却装置，其特征在于，还包括供气单元，其与所述喷嘴通过管道相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
