[实用新型]一种晶圆冷却装置有效
申请号: | 201721796770.7 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN207542215U | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 黄雷 | 申请(专利权)人: | 昆山成功环保科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 黄珩 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 分隔层 腔体 冷却装置 均流板 晶圆 种晶 晶圆冷却装置 本实用新型 气流分布 提供装置 侧壁 顶壁 开孔 腔内 冷却 | ||
本实用新型涉及了一种晶圆冷却装置,用于冷却晶圆,其包括:腔体;均流板,固定在腔体底部;喷嘴,其为喷气提供装置,设置于腔体的侧壁或顶壁;在喷嘴与均流板之间还设置有分隔层,该分隔层上设置有开孔。该晶圆冷却装置通过其腔内设置的分隔层可直接改变喷嘴的气流方向,从而解决了作用于晶圆上的气流分布不均问题。
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工技术领域,尤其涉及一种喷气气流平稳的晶圆冷却装置。
背景技术
在对晶圆进行光刻过程中,需要对晶圆多次冷却,一般的,冷却过程通常分为空冷和冷却板强制冷却两个阶段。但是在空冷阶段,由于晶圆的初始温度较高,自然冷却需花费大量时间,因而需要借助晶圆冷却装置加速冷却。然而市面上冷却装置喷嘴通常垂直于晶圆设置,从而导致晶圆上正对喷嘴的区域气流速度偏大的情况发生,造成晶圆各区域冷却速度不一致,进而使得晶圆出现上拱或下凹现象。即使冷却装置腔体内设置有均流板,也难以避免喷气气流不均现象。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种结构简单,喷气气流平稳的晶圆冷却装置。
为了解决上述技术问题,本实用新型涉及了一种晶圆冷却装置,用于冷却晶圆,其包括:腔体;均流板,固定在腔体底部;喷嘴,其为喷气提供装置,设置于腔体的侧壁或顶壁;在喷嘴与均流板之间还设置有分隔层,该分隔层上设置有多个开孔。
喷嘴与均流板之间还设置有分隔层,该分隔层上设置有多个开孔,这样一来,将从喷嘴喷出的气流由一股变为多股,从而避免了作用于晶圆上的气流分布不均现象。
作为本实用新型的进一步改进,均流板与腔体可拆连接。
均流板上通气孔的大小及布置方式也在很大程度上影响喷气的气流状态。均流板与腔体设计为可拆连接方式,可方便地针对不同实际情况对其进行更换。
作为本实用新型的进一步改进,均流板与腔体通过卡扣连接。
卡扣连接方式结构简单,操作快捷,从而可快速的对均流板进行更换,减少工序停滞时间。
作为本实用新型的进一步改进,均流板外形设置为圆形,且均流板上设置有内螺纹或外螺纹,腔体上设置有与之对应的外螺纹或内螺纹。
均流板与腔体采用螺纹连接形式,这样一来,两者连接可靠,气密封性好。且圆形设置的均流板装配时减少了对位操作,适应性好。
作为本实用新型的进一步改进,分隔层上几何中心的孔正对均流板几何中心,其四周布置有多个以孔几何中心为中心点圆周阵列的孔。沿着孔阵列中心至四周扩散方向,分隔层上的开孔尺寸逐渐变大。
由于分隔层中心孔位置气流流速相比较于周边其他孔位置偏大,容易造成中心位置附近气流出现“凸峰”。分隔层上的开孔尺寸沿着孔阵列中心至四周扩散方向逐渐变大,这样一来,可以使得喷吹到均流板的气流强度更加均匀。
作为本实用新型的进一步改进,分隔层与腔体可拆连接。
分隔层与腔体设计为可拆连接方式,可方便地针对不同实际情况对其进行更换。
作为本实用新型的进一步改进,在分隔层上放置有透气性填充物。
填充物中存在有大量大小不一、且分布毫无规律的小孔,正因为此,当气流流经腔体内时,能进一步对中心位置附近气流分布起到“削峰平凹”作用,使腔内气流状态更加平缓、均匀。
作为本实用新型的进一步改进,透气性填充物为聚酯纤维。
聚酯纤维具有耐腐蚀,强度高,且弹性好的特点,便于对腔体完全充实。
作为本实用新型的进一步改进,晶圆冷却装置还包括供气单元,其与喷嘴通过管道相连。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山成功环保科技有限公司,未经昆山成功环保科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721796770.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶圆连续清洗、干燥装置
- 下一篇:一种存储芯片的预整平装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造