[实用新型]用于系统级封装的TSV转接板有效
| 申请号： | 201721765776.8 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN207753005U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/522 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于系统级封装的TSV转接板，包括：Si衬底(101)；至少两个TSV区(102)，设置于所述Si衬底(101)内；至少两个隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内并位于每两个所述TSV区(102)之间；二极管(104)，设置于所述隔离区(103)之上；互连线(105)，对所述TSV区(102)的第一端面和所述二极管(104)进行串行连接。本实用新型提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 衬底 集成电路系统 抗静电能力 系统级封装 隔离区 封装 本实用新型 串行连接 转接 互连线 加工 | ||
【主权项】：
1.一种用于系统级封装的TSV转接板，其特征在于，包括：Si衬底(101)；至少两个TSV区(102)，设置于所述Si衬底(101)内；至少两个隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内并位于每两个所述TSV区(102)之间，所述隔离区(103)上下贯通所述Si衬底(101)；二极管(104)，设置于所述隔离区(103)之上；互连线(105)，对所述TSV区(102)的第一端面和所述二极管(104)进行串行连接。
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