[实用新型]一种PECVD氮化硅膜制备装置

摘要

本实用新型公开了一种PECVD氮化硅膜制备装置，包括射频电源主体、石英反应舟和电阻炉主体，所述电阻炉主体一侧连通有氯化铵气体管和氨气管，所述石英反应舟设置在电阻炉主体内部，所述石英反应舟内均匀设置有隔板，相邻隔板之间形成淀积室，淀积室内部均匀放置有基片，隔板内侧上设置有电加热板，电加热板通过导热块与基片连接，所述石英反应舟内壁上设置有电加热棒，所述电阻炉主体内部顶壁上安装有第一温度检测探头和气压检测器，所述电阻炉主体背离氯化铵气体管和氨气管的侧面上延伸出有出气管和气管，电阻炉主体正表面上安装有综合显示面板。本实用新型在基片加热方面更加均匀充分和通入反应气体方面更容易控制，氮化硅成品质量更优。

主权项

1.一种PECVD氮化硅膜制备装置，包括射频电源主体(3)、石英反应舟(6)和电阻炉主体(7)，其特征在于：所述电阻炉主体(7)一侧连通有氯化铵气体管(1)和氨气管(16)，所述射频电源主体(3)设置在电阻炉主体(7)内部靠近氯化铵气体管(1)和氨气管(16)的位置处，所述射频电源主体(3)内部设置有射频电源器(14)，射频电源器(14)上分别安装有阻抗匹配器(2)和阻抗功率计(13)，所述石英反应舟(6)设置在电阻炉主体(7)内部，所述石英反应舟(6)内均匀设置有隔板(21)，相邻隔板(21)之间形成淀积室(20)，淀积室(20)内部均匀放置有基片(18)，隔板(21)内侧上设置有电加热板(24)，电加热板(24)通过导热块(25)与基片(18)连接，且导热块(25)固定在基片(18)上，所述石英反应舟(6)内部安装有第二温度检测探头(19)，所述石英反应舟(6)内壁上设置有电加热棒(17)，所述电阻炉主体(7)内部顶壁上安装有第一温度检测探头(4)和气压检测器(5)，所述电阻炉主体(7)背离氯化铵气体管(1)和氨气管(16)的侧面上延伸出有出气管(9)和气管(12)，气管(12)底部安装有气泵(10)，所述电阻炉主体(7)靠近氯化铵气体管(1)和氨气管(16)的一侧上设置有炉门(22)，电阻炉主体(7)正表面上安装有综合显示面板(23)。