[实用新型]OLED触控面板有效
申请号: | 201721752807.6 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN207503985U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 马伟欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 阚梓瑄;王卫忠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开一种OLED触控面板,涉及触控领域。OLED触控面板包括阵列基板结构、绝缘层以及金属层,阵列基板结构包括设置于阵列基板结构顶部的阴极层,阴极层包括多个相互间隔设置的第一阴极结构;绝缘层设置于阴极层上;金属层设置于绝缘层的远离阴极层的侧面上,金属层包括多个相互间隔设置的第一金属结构,第一阴极结构在阵列基板结构上的投影与第一金属结构在阵列基板结构上的投影至少部分重合。本实用新型提供的OLED触控面板可以降低整体厚度。另一方面,也可以降低制造成本。 1 | ||
搜索关键词: | 阵列基板结构 阴极层 绝缘层 金属层 本实用新型 间隔设置 金属结构 阴极结构 投影 制造成本 重合 触控 侧面 | ||
阵列基板结构,包括设置于所述阵列基板结构顶部的阴极层,所述阴极层包括多个相互间隔设置的第一阴极结构;
绝缘层,设置于所述阴极层上;
金属层,设置于所述绝缘层的远离所述阴极层的侧面上,所述金属层包括多个相互间隔设置的第一金属结构,所述第一阴极结构在所述阵列基板结构上的投影与所述第一金属结构在所述阵列基板结构上的投影至少部分重合。
2.如权利要求1所述的OLED触控面板,其特征在于,所述阴极层包括多个相互间隔设置的第一条状结构,该第一条状结构具有第一延伸方向,所述第一阴极结构布置于所述第一条状结构上;以及/或者所述金属层包括多个相互间隔设置的第二条状结构,该第二条状结构具有第二延伸方向,所述第一延伸方向与所述第二延伸方向呈角度设置,所述第一金属结构布置于所述第二条状结构上。
3.如权利要求2所述的OLED触控面板,其特征在于,所述第一阴极结构为条状结构,沿所述第一延伸方向,所述第一阴极结构的尺寸等于所述第一条状结构的尺寸;以及/或者
所述第一金属结构为条状结构,沿所述第二延伸方向,所述第一金属结构的尺寸等于所述第二条状结构的尺寸。
4.如权利要求2所述的OLED触控面板,其特征在于,所述第一阴极结构为块状结构,沿所述第一延伸方向,所述第一阴极结构的尺寸小于所述第一条状结构的尺寸,所述第一条状结构上设置有多个所述第一阴极结构,多个所述第一阴极结构沿所述第一延伸方向依次设置;以及/或者所述第一金属结构为块状结构,沿所述第二延伸方向,所述第一金属结构的尺寸小于所述第一条状结构的尺寸,所述第二条状结构上设置有多个所述第一金属结构,多个所述第一金属结构沿所述第二延伸方向依次设置。
5.如权利要求2所述的OLED触控面板,其特征在于,所述第一条状结构的第一延伸方向垂直于所述第二条状结构的第二延伸方向。6.如权利要求1所述的OLED触控面板,其特征在于,所述第一阴极结构均匀布置于所述阴极层;以及/或者所述第一金属结构均匀布置于所述金属层。7.如权利要求1所述的OLED触控面板,其特征在于,所述阴极层由镁银合金构成。8.如权利要求1至7中任一项所述的OLED触控面板,其特征在于,所述OLED触控面板还包括集成电路,所述第一阴极结构以及所述第一金属结构分别电连接于集成电路。9.如权利要求1至7中任一项所述的OLED触控面板,其特征在于,所述第一金属结构包括相互间隔设置的两层钛膜层以及位于所述钛膜层之间的铝膜层,所述钛膜层和所述铝膜层所在的平面分别平行于所述阴极层所在的平面。10.如权利要求1至7中任一项所述的OLED触控面板,其特征在于,所述金属层采用物理气相沉积工艺和光刻工艺制成。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的