[实用新型]一种半导体气相沉积设备的更换置具

摘要

本实用新型提供一种半导体气相沉积设备的更换置具，包括：具有第一面及与第一面相对应的第二面的承载体；与承载体的第二面相连接的支撑体；支撑体与腔体底相接触；支撑体与承载体及腔体底构成收容空间，基座位于收容空间内，且基座不接触承载体及支撑体；以及连接于承载体第一面且凸出于承载体第一面的冲击模块；冲击模块高度不小于腔体盖的高度；冲击模块上表面水平；冲击模块上表面的最大间距不大于喷头的直径；本实用新型可提供具有水平面的更换置具，可使喷头受力均匀，从而不会发生喷头被卡在腔体盖内的现象，同时，更换置具与气相沉积设备中的基座不接触，可有效保护基座上表面，从而提高后续制备产品的质量。 1

主权项

1.一种半导体气相沉积设备的更换置具，所述气相沉积设备包括腔体盖、腔体底、腔体、喷头及基座；其特征在于，所述更换置具包括：

承载体，所述承载体具有第一面及与所述第一面相对应的第二面；

支撑体，所述支撑体与所述承载体的第二面相连接；所述支撑体与所述腔体底相接触；所述支撑体与所述承载体及所述腔体底构成收容空间，所述基座位于所述收容空间内，且所述基座不接触所述承载体及所述支撑体；

冲击模块，所述冲击模块连接于所述承载体第一面且凸出于所述承载体第一面；所述冲击模块高度不小于所述腔体盖的高度；所述冲击模块上表面水平；所述冲击模块上表面的最大宽度不大于所述喷头的直径。

2.根据权利要求1所述的半导体气相沉积设备的更换置具，其特征在于：所述支撑体的横截面外缘轮廓由直线或曲线中的一种或组合形成。

3.根据权利要求1所述的半导体气相沉积设备的更换置具，其特征在于：所述支撑体包括多个支撑杆。

4.根据权利要求3所述的半导体气相沉积设备的更换置具，其特征在于：所述支撑杆的横截面外缘轮廓由直线或曲线中的一种或组合形成。

5.根据权利要求1所述的半导体气相沉积设备的更换置具，其特征在于：所述冲击模块包括实心、空心中的一种。

6.根据权利要求5所述的半导体气相沉积设备的更换置具，其特征在于：所述冲击模块的横截面外缘轮廓由直线或曲线中的一种或组合形成。

7.根据权利要求1所述的半导体气相沉积设备的更换置具，其特征在于：所述冲击模块包括多个位于同一平面的冲击部件。

8.根据权利要求7所述的半导体气相沉积设备的更换置具，其特征在于：所述多个冲击部件之间均匀分布。

9.根据权利要求7所述的半导体气相沉积设备的更换置具，其特征在于：所述冲击部件包括实心、空心中的一种。

10.根据权利要求1所述的半导体气相沉积设备的更换置具，其特征在于：所述更换置具的材料包括钛合金、铝合金、塑钢或亚克力中的一种或组合。