[实用新型]一种半导体气相沉积设备的更换置具

说明书

本实用新型提供一种半导体气相沉积设备的更换置具，包括：具有第一面及与第一面相对应的第二面的承载体；与承载体的第二面相连接的支撑体；支撑体与腔体底相接触；支撑体与承载体及腔体底构成收容空间，基座位于收容空间内，且基座不接触承载体及支撑体；以及连接于承载体第一面且凸出于承载体第一面的冲击模块；冲击模块高度不小于腔体盖的高度；冲击模块上表面水平；冲击模块上表面的最大间距不大于喷头的直径；本实用新型可提供具有水平面的更换置具，可使喷头受力均匀，从而不会发生喷头被卡在腔体盖内的现象，同时，更换置具与气相沉积设备中的基座不接触，可有效保护基座上表面，从而提高后续制备产品的质量。

技术领域

本实用新型属于一种置具，涉及一种半导体气相沉积设备的更换置具。

背景技术

气相沉积技术是在气相中发生物理、化学反应的过程，在工件表面形成功能性或装饰性的金属、非金属或化合物涂层。气相沉积技术按照成膜机理，可分为化学气相沉积、物理气相沉积和等离子体气相沉积。

其中，化学气相沉积及物理气相沉积是半导体领域较为常用的沉积镀膜方式。化学气相沉积是将基片置于反应室中，抽真空并加热至900～1100℃，根据工艺需求在反应室内通入气体并与金属发生反应产生化合物，而后沉积在基片上表面。物理气相沉积是通过蒸发，电离或溅射等过程，产生金属粒子并与反应气体反应形成化合物沉积在基片表面。

图1显示为现有技术中的一种气相沉积设备的剖视结构示意图，所述气相沉积设备包括腔体盖100、腔体底200、腔体300、喷头400及基座500。所述喷头400位于所述腔体盖100内，并与所述腔体盖100相接触，由于所述气相沉积设备中会通入反应气体，因此，所述气相沉积设备需要密封。为了加强密封效果，往往在所述喷头400与所述腔体盖100接触面加设密封圈(未图示)。

在生产过程中如果发生漏气则需要更换所述密封圈，如果所述喷头400自身发生不良，则需要将所述密封圈及所述喷头400一起进行更换。但无论哪种情况都需要先取出所述喷头400。

目前，取出所述喷头400的方法为在所述喷头400下方的所述基座500上表面放置摆放物(如：无尘布)，通过所述腔体盖100向下移动时，利用所述摆放物凸出所述基座500上表面的高度，将所述喷头400从所述腔体盖100内顶出。如图2所示，显示为现有技术中的所述喷头400被卡住时的剖视结构示意图。由于所述摆放物600上表面不水平，常常造成所述喷头400受力不均匀，而发生所述喷头400被卡在所述腔体盖100内出无法取出的现象，最后只能使用榔头将被卡在所述腔体盖100内的所述喷头400用蛮力砸出，导致所述喷头400完全报废，甚至于造成所述腔体盖100的损坏，最终造成资源的浪费。同时，由于所述摆放物600直接与所述基座500相接处，因此，所述基座500表面也会受到不均匀的压力，导致所述基座500上表面被压迫变形，影响后续制备的产品质量。因此，设计一种方便更换所述喷头400的更换置具极其必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体气相沉积设备的更换置具，用于解决现有技术中在更换密封圈或喷头时造成喷头受力不均匀，而被卡在腔体盖内，造成喷头及腔体盖的损坏，最终造成资源浪费，同时，解决基座上表面被压迫变形，影响后续制备的产品质量的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体气相沉积设备的更换置具，所述气相沉积设备包括腔体盖、腔体底、腔体、喷头及基座；所述更换置具包括：

承载体，所述承载体具有第一面及与所述第一面相对应的第二面；

支撑体，所述支撑体与所述承载体的第二面相连接；所述支撑体与所述腔体底相接触；所述支撑体与所述承载体及所述腔体底构成收容空间，所述基座位于所述收容空间内，且所述基座不接触所述承载体及所述支撑体；