[实用新型]非对称鳍内存晶体管及半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种非对称鳍内存晶体管及半导体器件。在本实用新型提供的非对称鳍内存晶体管中，字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同。因此本实用新型中可以降低制程难度，此外，利用长度不同的字线诱发单边电场，相比长度相同的字线诱发的双边电场强度低，可有效改善漏电流。

主权项

1.一种非对称鳍内存晶体管，其特征在于，包括：一衬底，具有多个有源区，形成于所述衬底中；隔离结构，形成于所述衬底中并围绕所述有源区；以及，多条字线，形成于所述衬底中，所述多条字线穿过所述隔离结构和所述有源区，且所述字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同，以改善漏电流。