[实用新型]一种高光效P型非极性AlN薄膜有效
| 申请号： | 201721446715.5 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN207474486U | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;何鑫;刘均炎;沈耿哲;蓝秋明;杨成燕;吴健豪;刘俊杰;刘铭全;段峰 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人： | 吴伟文 |
| 地址： | 529020 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高光效P型非极性AlN薄膜，包括从下至上依次设置的M面蓝宝石衬底层、非极性ZnO薄膜层、Ag纳米粒子层、非极性P‑AlN薄膜层、重掺杂非极性P‑AlN薄膜层、Pt纳米粒子层，本实用新型使用Ag纳米粒子作为掩膜，促进横向过生长，提高P‑AlN薄膜的质量，Ag纳米粒子具有局域表面离子体增强效应，可以大幅度提高P‑AlN的光效，相对现有技术提高至少8‑12倍；在P型非极性AlN薄膜表面使用Pt纳米粒子对P‑AlN进行二次增强，抑制缺陷发光；Pt纳米粒子与界面处的Ag纳米粒子形成二次反射镜面，可以在较大程度上提高薄膜的光提取效率；另外通过使用Mg、F共掺杂进一步提高P‑AlN薄膜的掺杂浓度和空穴浓度，提高器件的性能，其中空穴浓度相对现有技术提高至少3个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 非极性 纳米粒子 空穴 本实用新型 纳米粒子层 高光效 光提取效率 横向过生长 二次反射 个数量级 局域表面 依次设置 镜面 衬底层 共掺杂 界面处 离子体 重掺杂 光效 掩膜 薄膜 掺杂 发光 | ||
【主权项】：
一种高光效P型非极性AlN薄膜，包括M面蓝宝石衬底层、非极性ZnO薄膜层、Ag纳米粒子层、非极性P‑AlN薄膜层、P‑AlN盖帽层、Pt纳米粒子层，所述的M面蓝宝石衬底层上生长有非极性ZnO薄膜层，所述的非极性ZnO薄膜层上端生长有Ag纳米粒子层，所述的Ag纳米粒子层上端生长有非极性P‑AlN薄膜层，所述的非极性P‑AlN薄膜层上端设置有P‑AlN盖帽层，所述P‑AlN盖帽层上端溅射有Pt纳米粒子层，其中，所述的P‑AlN盖帽层采用Mg、F共掺杂得到。
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