[实用新型]一种垂直结构ZnO基LED芯片有效

专利信息
申请号: 201721382783.X 申请日: 2017-10-24
公开(公告)号: CN207338419U 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 杨为家;吴质朴;何畏;陈强 申请(专利权)人: 江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/40;H01L33/10;B82Y30/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 梁嘉琦
地址: 529000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种垂直结构ZnO基LED芯片,包括:由下至上依次排列的作为p型电极的金属Al反射电极、p型ZnxMg1‑xO衬底层、i型Al2O3薄膜层、n型ZnO薄膜层和n型电极。采用高质量的p型ZnxMg1‑xO衬底层,解决了难以制备高质量p型ZnO的困难,可以在较大程度上提高LED的光效,LED芯片结构简单,简化了工艺,采用垂直结构,使用金属Al反射电极,对光具有极强的反射作用,有利于提高出光效率。
搜索关键词: 一种 垂直 结构 zno led 芯片
【主权项】:
1.一种垂直结构ZnO基LED芯片,其特征在于,包括:由下至上依次排列的作为p型电极的金属Al反射电极(11)、p型ZnxMg1-xO衬底层(12)、i型Al2O3薄膜层(13)、n型ZnO薄膜层(14)和n型电极(15)。
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