[实用新型]一种垂直结构ZnO基LED芯片有效

专利信息
申请号: 201721382783.X 申请日: 2017-10-24
公开(公告)号: CN207338419U 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 杨为家;吴质朴;何畏;陈强 申请(专利权)人: 江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/40;H01L33/10;B82Y30/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 梁嘉琦
地址: 529000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 垂直 结构 zno led 芯片
【权利要求书】:

1.一种垂直结构ZnO基LED芯片,其特征在于,包括:由下至上依次排列的作为p型电极的金属Al反射电极(11)、p型ZnxMg1-xO衬底层(12)、i型Al2O3薄膜层(13)、n型ZnO薄膜层(14)和n型电极(15)。

2.根据权利要求1所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片,其特征在于,所述p型ZnxMg1-xO衬底层(12)中x取值范围为:0<x<0.3。

3.根据权利要求1所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片,其特征在于,所述i型Al2O3薄膜层(13)包含一层Ag纳米层(16)。

4.根据权利要求1所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片,其特征在于,所述i型Al2O3薄膜层(13)厚度为2-15nm。

5.根据权利要求1所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片,其特征在于,所述n型ZnO薄膜层(14)厚度为300-1500nm。

6.根据权利要求1所述的一种垂直结构ZnO基LED芯片,其特征在于,所述n型电极(15)选用Al单晶或者Cu单晶材料。

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