[实用新型]一种具有电流阻挡层的LED外延结构有效
| 申请号： | 201721381842.1 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN207338417U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 马昆旺;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有电流阻挡层的LED外延结构，包括衬底以及依次层叠在衬底上的未掺杂的GaN缓冲层、N型GaN层、有源层、电流阻挡层和P型GaN层，P型GaN层包括依次层叠的LP层和HP层，本LED外延结构还包括层叠在有源层和LP层之间的电流阻挡层，电流阻挡层包括一层或一层以上的分阻挡层，分阻挡层包括掺Mg的AlGaN势垒层和GaN势阱层；本实用新型能够有效避免电子溢出至P型GaN层，有利于空穴扩展和显著提高空穴浓度，成功解决了现有技术中LED阻挡电子溢出效果差，以及限制空穴的扩展能力而造成的发光效率低的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 阻挡 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有电流阻挡层的LED外延结构，包括衬底(6)以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂的GaN缓冲层(1)、N型GaN层(2)、有源层(3)和P型GaN层(5)，所述P型GaN层(5)包括依次层叠的LP层(51)和HP层(52)，其特征在于：还包括层叠在所述有源层(3)和LP层(51)之间的电流阻挡层(4)，所述电流阻挡层(4)包括一层或一层以上的分阻挡层(43)，所述分阻挡层(43)包括掺Mg的AlGaN势垒层(41)和GaN势阱层(42)。
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