[实用新型]一种具有电流阻挡层的LED外延结构有效
| 申请号： | 201721381842.1 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN207338417U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 马昆旺;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 阻挡 led 外延 结构 | ||
1.一种具有电流阻挡层的LED外延结构，包括衬底(6)以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂的GaN缓冲层(1)、N型GaN层(2)、有源层(3)和P型GaN层(5)，所述P型GaN层(5)包括依次层叠的LP层(51)和HP层(52)，其特征在于：还包括层叠在所述有源层(3)和LP层(51)之间的电流阻挡层(4)，所述电流阻挡层(4)包括一层或一层以上的分阻挡层(43)，所述分阻挡层(43)包括掺Mg的AlGaN势垒层(41)和GaN势阱层(42)。
2.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述电流阻挡层(4)的厚度为0.04-0.07μm。
3.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述分阻挡层(43)中AlGaN势垒层(41)和GaN势阱层(42)的厚度比在2:1到3:1之间。
4.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述AlGaN势垒层(41)的厚度为0.005-0.006μm，所述GaN势阱层(42)的厚度为0.002-0.003μm。
5.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述电流阻挡层(4)包括4-6层分阻挡层(43)。
6.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构，其特征在于:所述分阻挡层(43)的厚度为0.03-0.06μm。
7.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述N型GaN层(2)的厚度为3-4μm，所述P型GaN层(5)的厚度为0.18-0.26μm。
8.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述GaN缓冲层(1)的厚度为1.5-3μm。
9.根据权利要求1-8任一所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构，其特征在于：有源层(3)的厚度为0.1-0.3μm，包括间隔交替的InGaN势阱层(31)和GaN势垒层(32)。
10.根据权利要求9所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述InGaN势阱层(31)和GaN势垒层(32)间隔交替的次数为8-15。
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