[实用新型]一种倒装LED芯片

摘要

本实用新型提供一种倒装LED芯片，其P电极和N电极均包括第一金属层和第二金属层，所述第二金属层为金属镍层，且该金属镍层的厚度不小于0.5μm；以金属镍层代替现有技术中的金层或金锡合金层来进行倒装焊接，因金属镍层具有良好的阻挡层特性，且厚度在不小于0.5μm的情况下，具有很好的抗锡膏的渗透性，同时材料成本大幅度降低，且芯片的电性也能够得到保证。

主权项

一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：衬底，依次设于该衬底上的N型层、发光层、P型层，在部分P型层表面蚀刻至裸露出N型层；电流扩散层，所述电流扩散层设于P型层表面；P电极、N电极，所述P电极设于电流扩散层的表面，所述N电极设于N型层的表面，所述P电极和N电极均包括：第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置于电流扩散层或N型层的表面，所述第二金属层设置于第一金属层的表面，所述第二金属层为金属镍层，且该金属镍层的厚度不小于0.5μm；绝缘层，所述绝缘层覆设于电流扩散层、N型层、以及P型层与N型层的交界处的表面，并分别裸露出P电极和N电极。