[实用新型]电感耦合的等离子体源及包括其的半导体处理腔室有效
| 申请号： | 201721183719.9 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN207705142U | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | D·卢博米尔斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李炜;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了具有流通源的腔室。所描述的处理腔室可以包括腔室外壳，腔室外壳至少部分地限定半导体处理腔室的内部区域。腔室可以包括定位在腔室外壳内的喷头，并且喷头可至少部分地将内部区域划分为远程区域和处理区域，在处理区域能包含基板。腔室也可包括定位在喷头与处理区域之间的电感耦合的等离子体源。电感耦合的等离子体源可以包括在电介质材料内的导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 喷头 等离子体源 处理区域 电感耦合 腔室外壳 腔室 半导体处理腔室 内部区域 电介质材料 处理腔室 导电材料 远程区域 基板 流通 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理腔室，包括：腔室外壳，至少部分地限定所述半导体处理腔室的内部区域；喷头，定位在所述腔室外壳内，其中所述喷头至少部分地将所述内部区域划分为远程区域和处理区域，在所述处理区域中能包含基板；以及电感耦合的等离子体源，定位在所述喷头与所述处理区域之间，其中所述电感耦合的等离子体源包括电介质材料内的导电材料。
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