[实用新型]一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统有效
申请号: | 201721147496.0 | 申请日: | 2017-09-08 |
公开(公告)号: | CN207425804U | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 刘小军;王正华 | 申请(专利权)人: | 安徽越众光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 蒋海军 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统,属于湿法刻蚀技术领域。本实用新型的湿法刻蚀系统,包括依次设置的刻蚀槽、水洗I槽、碱洗槽、水洗II槽、酸洗槽、水洗III槽和烘干槽,且上述各槽内部均设有传动辊轮,所述水洗I槽和水洗II槽内的喷淋装置均包括外围喷淋装置和内循环喷淋装置,其中外围喷淋装置通过第一喷淋进水管直接与外围供水总管相连,内循环喷淋装置通过第二喷淋进水管与储水箱相连,且该储水箱与水洗槽本体之间通过回水管相连;所述水洗I槽和水洗II槽内靠近出料端的传动辊轮上方均并排设有至少两组赶液辊轮。采用本实用新型的湿法刻蚀系统能够显著改善硅片的水洗效果以及水洗后的赶液效果,进而保证硅片刻蚀质量。 | ||
搜索关键词: | 喷淋装置 湿法刻蚀 本实用新型 硅太阳能电池 喷淋进水管 传动辊轮 外围 储水箱 内循环 硅片 湿法刻蚀技术 供水总管 水洗效果 依次设置 槽内部 赶液辊 烘干槽 回水管 碱洗槽 刻蚀槽 水洗槽 酸洗槽 出料 刻蚀 两组 保证 | ||
【主权项】:
1.一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统,包括依次设置的刻蚀槽(1)、水洗I槽(2)、碱洗槽(3)、水洗II槽(16)、酸洗槽(17)、水洗III槽(18)和烘干槽(19),且上述各槽内部均设有传动辊轮(4),其特征在于:所述水洗I槽(2)和水洗II槽(16)内的喷淋装置均包括外围喷淋装置和内循环喷淋装置,其中外围喷淋装置通过第一喷淋进水管(8)直接与外围供水总管(7)相连,内循环喷淋装置通过第二喷淋进水管(14)与储水箱(12)相连,且该储水箱(12)与水洗槽本体之间通过回水管(15)相连;所述水洗I槽(2)和水洗II槽(16)内靠近出料端的传动辊轮(4)上方均并排设有至少两组赶液辊轮(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽越众光伏科技有限公司,未经安徽越众光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721147496.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电子半导体加工用清洗装置
- 下一篇:制绒槽后水清洗喷淋装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造