[实用新型]一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统有效
申请号: | 201721147496.0 | 申请日: | 2017-09-08 |
公开(公告)号: | CN207425804U | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 刘小军;王正华 | 申请(专利权)人: | 安徽越众光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 蒋海军 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷淋装置 湿法刻蚀 本实用新型 硅太阳能电池 喷淋进水管 传动辊轮 外围 储水箱 内循环 硅片 湿法刻蚀技术 供水总管 水洗效果 依次设置 槽内部 赶液辊 烘干槽 回水管 碱洗槽 刻蚀槽 水洗槽 酸洗槽 出料 刻蚀 两组 保证 | ||
本实用新型公开了一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统,属于湿法刻蚀技术领域。本实用新型的湿法刻蚀系统,包括依次设置的刻蚀槽、水洗I槽、碱洗槽、水洗II槽、酸洗槽、水洗III槽和烘干槽,且上述各槽内部均设有传动辊轮,所述水洗I槽和水洗II槽内的喷淋装置均包括外围喷淋装置和内循环喷淋装置,其中外围喷淋装置通过第一喷淋进水管直接与外围供水总管相连,内循环喷淋装置通过第二喷淋进水管与储水箱相连,且该储水箱与水洗槽本体之间通过回水管相连;所述水洗I槽和水洗II槽内靠近出料端的传动辊轮上方均并排设有至少两组赶液辊轮。采用本实用新型的湿法刻蚀系统能够显著改善硅片的水洗效果以及水洗后的赶液效果,进而保证硅片刻蚀质量。
技术领域
本实用新型属于湿法刻蚀技术领域,更具体地说,涉及一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统。
背景技术
近年来,太阳能电池片生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展,逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种能量转换的光电元件,能够通过光电效应或者光化学效应直接将光能转化成电能,从而实现光伏发电。硅电池片的生产工艺比较复杂,一般包括以下步骤:切片、制绒、扩散、刻蚀、镀减反射膜、印刷电极、电极烧结和测试。
其中,刻蚀是制备硅太阳能电池片的重要工序,其目的是要去除在扩散工艺形成的电池片背面的磷硅玻璃,刻蚀质量的好坏直接影响电池片的转换效率。当前硅片的刻蚀方法主要包括干法和湿法刻蚀,其中湿法刻蚀的生产过程为:经扩散后的硅太阳能电池片,利用刻蚀槽的HNO
对于捷佳伟创湿法刻蚀机台,通常是利用赶液辊轮来实现各槽体的隔离,通过柱形赶液辊轮阻挡硅片表面的药液,使药液从硅片表面流入下槽。但现有刻蚀工艺中赶液辊轮对化学药液的隔离效果仍存在一定的缺陷,从而导致水洗槽前端槽体内的药液流入水洗槽后端槽体内,引起水洗槽后端槽体内液体的稀释和污染,从而导致其清洗效果下降,且使用寿命减短。同时,随着水洗槽内纯水的循环使用,其酸性越来越大,从而造成水洗效果下降,进而影响所得硅片质量。
实用新型内容
1.实用新型要解决的技术问题
本实用新型的目的在于克服现有晶体硅太阳能电池硅片湿法刻蚀工艺存在的水洗槽的清洗效果以及赶液效果不佳,从而影响硅片刻蚀质量,并导致水洗槽后端槽内液体的循环使用寿命较短的不足,提供了一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统。采用本实用新型的湿法刻蚀系统能够显著改善硅片的水洗效果以及水洗后的赶液效果,进而保证硅片刻蚀质量。
2.技术方案
为达到上述目的,本实用新型提供的技术方案为:
本实用新型的一种硅太阳能电池湿法刻蚀系统,包括依次设置的刻蚀槽、水洗I槽、碱洗槽、水洗II槽、酸洗槽、水洗III槽和烘干槽,且上述各槽内部均设有传动辊轮,所述水洗I槽和水洗II槽内的喷淋装置均包括外围喷淋装置和内循环喷淋装置,其中外围喷淋装置通过第一喷淋进水管直接与外围供水总管相连,内循环喷淋装置通过第二喷淋进水管与储水箱相连,且该储水箱与水洗槽本体之间通过回水管相连;所述水洗I槽和水洗II槽内靠近出料端的传动辊轮上方均并排设有至少两组赶液辊轮。
更进一步的,所述储水箱通过内循环进水管与外围供水总管相连,该储水箱的底部设有排水口,排水口与排水管相连。
更进一步的,所述储水箱内设有液位计及pH计。
更进一步的,所述第一喷淋进水管、内循环进水管及排水管上均设有流量调节阀。
更进一步的,所述烘干槽与水洗III槽之间设有挡板,且挡板与传动辊轮之间的间距与待传送硅片的厚度相匹配。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造