[实用新型]一种具有正面钝化接触的P型PERC电池有效
| 申请号： | 201721093521.1 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN207353259U | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 郭瑶;郑霈霆;金浩;张昕宇;张范 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种具有正面钝化接触的P型PERC电池，包括P型硅基体，所述P型硅基体的正面设置有氧化硅层，所述氧化硅层的表面设置有掺杂多晶硅层，所述P型硅基体的背面依次设置有氧化铝层和氮化硅层且设置有铝背场，所述铝背场开槽与所述P型硅基体形成欧姆接触，且所述P型硅基体的正面还设置有电极。上述具有正面钝化接触的P型PERC电池，能够降低电池的正面复合，提升电池开路电压，从而提升电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 正面 钝化 接触 perc 电池 | ||
【主权项】：
1.一种具有正面钝化接触的P型PERC电池，其特征在于，包括P型硅基体，所述P型硅基体的正面设置有氧化硅层，所述氧化硅层的表面设置有掺杂多晶硅层，所述P型硅基体的背面依次设置有氧化铝层和氮化硅层且设置有铝背场，所述铝背场开槽与所述P型硅基体形成欧姆接触，且所述P型硅基体的正面还设置有电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司，未经浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721093521.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
